发明名称 树脂封装型半导体装置及其制造方法
摘要 本发明系为叠合垫片其面积被形成为比搭载在该主面之半导体的面积还小,以树脂封装体封装前述半导体晶片及叠合垫片的树脂封装型半导体装置之制造方法;在前述成形模具的模穴内,使其从前述叠合垫片的背面至与其对向的前述模穴的内壁面为止的间隙,比从前述半导体晶片的主面至与其对向的前述模穴之内壁面为止的间隙还狭窄,其狭窄分量为只相当于前述叠合垫片的厚度,而配置半导体晶片及叠合垫片,从中心浇口将树脂同时注入至前述模穴内而形成树脂封装体,所以不致因被充填在半导体晶片背面侧的充填区域之树脂而造成半导体晶片被推压至其上方。此结果,因可以防止半导体晶片、接合线( Bonding Wire)等从树脂封装体露出之缺点,所以可以提高树脂封装型半导体装置的良品率。
申请公布号 TW348288 申请公布日期 1998.12.21
申请号 TW086101119 申请日期 1997.01.31
申请人 日立微电脑系统股份有限公司;日立制作所股份有限公司 发明人 伊藤富士夫;西田隆文;坪崎邦宏;宫木美典;铃木一成;铃木博通;龟冈昭彦
分类号 H01L21/56 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种树脂封装型半导体装置之制造方法,系为叠合垫片其面积被形成为比搭载在其主面之半导体晶片的面积还小的面积,以树脂封装体封装前述半导体晶片及叠合垫片的树脂封装型半导体装置之制造方法,其特征为具备:(A)在介由支撑导程支撑在导程框的框体之叠合垫片的主面搭载半导体晶片之过程、及(B)在成形模具的上型与下型之间配置前述导程框的同时,在前述成形模具的模穴内,使从前述叠合垫片的背面与其对向的前述模穴之内壁面为止的间隙,比从前述半导体晶片的主面至与其对向的前述模穴之内壁面的间隙还狭窄,而配置前述前述半导体晶片及叠合垫片之过程、及(C)从位于前述半导体晶片的一侧面之前述成形模具的浇口注入树脂,而封装前述半导体晶片及叠合垫片之过程。2.如申请专利范围第1项的树脂封装型半导体装置之制造方法,其中前述浇口,系为位于前述导程框的上侧及下侧。3.如申请专利范围第1项的树脂封装型半导体装置之制造方法,其中前述叠合垫片,系为针对朝其厚度方向,位于比被支撑在前述导程框的框体之导程的内侧部还下方。4.如申请专利范围第1项的树脂封装型半导体装置之制造方法,其中前述叠合垫片的平面形状,被形成为圆形状或是方形状或是X形状。5.如申请专利范围第1项的树脂封装型半导体装置之制造方法,其中前述浇口,系为位于在前述框体连接支撑导程的区域附近。6.一种半导体封装型半导体装置,系为在半导体晶片主面的至少一边侧沿着具一边配列复数个外部端子;在有述半导体晶片的一边外侧沿着其一边配列复数个导程;在前述复数个外部端子介由接合线导电连接前述复数个导程的一端侧,以树脂封装体封装这些之树脂封装型半导体装置;其特征为:前述复数个导程当中,至少最邻接于前述半导体晶边的角部之导程的一端侧与邻接于此一端侧的一端侧之间隔,比在其他导程的一端侧之间还宽。7.一种树脂封装型半导体装置,系为在半导体晶片主面的至少一边侧沿着其一边配列复数个外部端子;在前述半导体晶片的一边外侧沿着其一边配列复数个导程;在前述复数个外部端子介由接合线导电连接复数个导程的一端侧,以树脂封装体封装这些之树脂封装型半导体装置;前述复数个外部端子当中,至少最邻接于前述半导体晶片角部的外部端子与邻接于此外部端子的外部端子之间隔,比在他其外部端子之间隔还宽。8.一种树脂封装型半导体装置,系为在半导体晶片主面的至少一边侧沿着其一边配列复数个外部端子;在前述半导体晶片的一边半侧沿着其一边配列复数个导程;在前述复数个外部端子介由接合线导电连接前述复数个导程的一端侧;以树脂封装体封装这些之树脂封装型半导体装置;前述复数个外部端子之间隔,从前述半导体晶片的一边中央部朝向前述半导体晶片的角部逐渐扩伸。9.如申请专利范围第6项的树脂封装型半导体装置,其中在前述晶片的角部外侧,被配置有从其角部朝向其外侧延伸,且被连结至搭载前述半导体晶片的叠合垫片之支撑导程。10.如申请专利范围第6项的树脂封装型半导体装置,其中前述叠合垫片其面积被形成为比前述半导体晶片的面积还小的面积。图式简单说明:第一图系为本发明实施形态1除去树脚封装型半导体装置之树脂封装体上部的状态之平面图。第二图系为在第一图所示A-A线的位置剖切之断面图。第三图系为在第一图所示A-A线的位置剖切之断面图。第四图系为用以制造前述树脂封装型半导体装置的导程框之平面图。第五图系为了说明前述树脂封装型半导体装置的制造方法之要部断面图。第六图系为了说明前述树脂封装型半导体装置的制造方法之要部断面图。第七图系为了说明树脂流之模式断面图。第八图系为了说明树脂流之模式断面图。第九图系为用于制造前述树脂封装型半导体装置的其他导程框之平面图。第十图系为用于制造前述树脂封装型半导体装置的其他导程框之平面图。第十一图系为本发明实施形态2除去树脂封装型半导体装置的树脂封装体上部的状态之平面图。第十二图系为第十一图之要部扩大断面图。第十三图系为用于制造前述树脂封装型半导体装置的导程框之平面图。第十四图系为表示前述树脂封装型半导体装置的变形例之要部平面图。第十五图系为表示前述树脂封装型半导体装置的变形例之半导体晶片之平面图。第十六图系为了说明过去问题点之模式断面图。第十七图系为了说明过去问题点之模式断面图。第十八图系为了说明过去问题点之模式断面图。
地址 日本
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