于半导体晶圆上维持构形标记之保持装置和金属沈积装置

摘要

于半导体晶圆上维持包括有作为对齐目标用之构形标记的保持装置和金属沉积装置，其于晶圆进行金属沉积时，可防止金属沉积于此标记上。本创作排除若在金属沉积之前使用 CMP平面化，其须使用视窗光罩及蚀刻步骤以便在新形成之金属层上复制对齐目标的需求。因而减低此由额外的视窗光罩及蚀刻步骤所导致之制造成本、周期时间、及产量损失。其保持装置包括有用于保持至少具有一构形标记的晶圆的晶圆保持器，和至少具有一突耳的扣环。晶圆藉由保持器被压向扣环以固持位于保持器内之晶圆。每一个突耳被放置于其相对应的构形标记的正上方，并具有大到足以覆盖此构形标记左面积，以避免当晶圆进行金属沉积时，金属沉积于此构形标记上。其金属沉积装置包括有用于沉积一层被选金属至晶圆上的沉积装置。此金属沉积装置亦包括有依据本创作设计之保持装置，该保持装置在当金属沉积时可用于保持晶圆。

主权项

1.一种在当金属沉积于至少具有一个构形标记的半导体晶圆上时,可用于保持此半导体晶圆的装置,该装置包括:用于保持晶圆之晶圆保持器;和至少具有一个突耳的扣环,前述的扣环和前述的保持器之结构是为了利用前述的保持器来固持晶圆紧靠前述的扣环,在前述扣环上之至少一个突耳的各个突耳系定位以置于至少一个的构形标记中相对应的构形标记的正上方,并具有大到足以覆盖至少一个之构形标记中其相对应的一个的面积,以避免当晶圆进行金属沉积时,金属被沉积于此至少一个的构形标记上。2.一种在当金属沉积于具有复数个对齐目标的半导体晶圆上时,可用于保持此半导体晶圆的装置,组成包括:用于保持晶圆之晶圆保持器;和具有复数个突耳的扣环,前述的扣环和前述的保持器之结构是为了利用前述的保持器来固持晶圆紧靠前述的回环,前述扣环上该等复数个突耳中的各个突耳系定位以置于复数个构形标记之相对应的构形标记的正上方,并具有大到足以覆盖复数个构形标记中的每一个相对应的构形标记的面积,以避免当晶圆进行金属沉积时,金属被沉积于此复数个构形标记上。3.如申请专利范围第2项的装置,其中前述的复数个突耳系与前述的扣环形成为一体。4.如申请专利范围第2项的装置,其中前述的扣环和前述的复数个突耳是由金属构成。5.如申请专利范围第4项的装置,其中前述的扣环和前述复数个突耳是钛构成。6.一种在当金属沉积于此具有复数个对齐目标的晶圆上时,可用于保持此半导体晶圆的装置,组成包括:用于保持晶圆之晶圆保持器;和具有复数个突耳的扣环,该等复数个突耳系与该扣环形成一体,其中该扣环和突耳系由金属制成,前述的扣环和前述的保持器之结构是为了利用前述的保持器来固持晶圆紧靠前述的扣环,前述的扣环中的复数个前述的突耳的每一个突耳系定位以置于复数个构形标记中相对应之构形标记的正上方,并具有大到足以覆盖每一个复数个构形标记相对应之构形标记的面积,以避免当晶圆进行金属沉积时,金属被沉积于此复数个构形标记上。7.如申请专利范围第6项的装置,其中前述的扣环和前述的复数个突耳是由钛构成。8.一种用于将被选金属沉积于至少具有一个构形标记的半导体晶圆之上的金属沉积装置,组成包括:用于在晶圆上沉积一层被选金属的保持装置;和一种当执行前述的金属沉积时,用于保持晶圆的装置,其组成包括:用于保持晶圆之晶圆保持器;和至少具有一个突耳的扣环,前述的扣环和前述的保持器之结构是为了利用前述的保持器来固持晶圆紧靠前述的扣环,前述扣环上之前述至少一个突耳的每一个突耳系定位以置于前述至少一个构形标记中相对应的构形标记的正上方,并具有大到足以覆盖该至少一个构形标记之每个相对应之构形标记的面积,以避免当晶圆进行金属沉积时,金属被沉积于此至少一个的构形标记上。9.一种用于将被选金属沉积于具有复数个对齐目标的半导体晶圆之上的金属沉积装置,组成包括:用于在晶圆之上沉积一层被选金属的装置;和一种当执行前述的金属沉积时,用于保持晶圆的装置,其组成包括:用于保持晶圆之晶圆保持器;和具有复数个突耳的扣环,前述的扣环和前述的保持器之结构是为了利用前述的保持器来固持晶圆紧靠前述的扣环,该扣环上复数个突耳中的每一个突耳系定位以置于复数个构形标记中相对应的构形标记的正上方,并具有大到足以覆盖复数的构形标记中每一个相对应之构形标记的面积,以避免当晶圆的金属沉积时,金属被沉积于此复数个构形标记上。10.如申请专利范围第9项的金属沉积装置,其中前述的复数个突耳系与前述的扣环形成为一体。11.如申请专利范围第9项的金属沉积装置,其中前述的扣环和前述的复数个突耳是由金属构成。12.如申请专利范围第11项的金属沉积装置,其中前述的扣环和前述的复数个突耳是由钛构成。13.如申请专利范围第9项的金属沉积装置,其中前述的金属沉积是利用溅射技术做金属沉积。14.如申请专利范围第9项的金属沉积装置,其中前述的金属沉积是利用蒸气技术做金属沉积。15.一种用于将被选金属沉积于具有复数个对齐目标的半导体晶圆之上的金属沉积装置,组成包括:用于在晶圆上沉积一层被选金属的装置;和一种当执行金属沉积时,用于保持晶圆的装置,其组成包括:用于保持晶圆之晶圆保持器;和具有复数个突耳的扣环,前述的复数个突耳系与前述的扣环形成为一体,其中前述的扣环和突耳是由金属构成,前述的扣环和前述的保持器之结构是为了利用前述的保持器来固持晶圆紧靠前述的扣环,前述的扣环中的复数个前述的突耳的每一个突耳系定位以置于的复数个对齐目标中相对应之对齐目标的正上方,并具有大到足以覆盖每一个其相对应的复数个对齐目标的面积,以避免当晶圆进行金属沉积时,金属被沉积于此复数个对齐目标上。16.如申请专利范围第15项的金属沉积装置,其中前述的扣环和前述的复数个突耳是由钛构成。17.如申请专利范围第15项的金属沉积装置,其中前述的金属沉积是利用溅射技术做金属沉积。18.如申请专利范围第15项的金属沉积装置,其中前述的金属沉积是利用蒸气技术做金属沉积。图式简单说明:第一A图系显示一典型的标有对齐目标及其于晶圆上之各别位置的半导体晶圆之上视图。第一B图系显示第一A图中之一对齐目标的部份放大上视图。第一C图系显示第一B图中之对齐目标的部份截面图。第二A图系显示在金属沉积装置中用于保持晶圆之传统装置。第二B图系显示第二A图中的传统保持装置之截面图,于此亦显示使用于金属沉积装置中的目标。第三A-C图系显示处理步骤的顺序的截面图,于此显示氧化及传统的平面化步骤后藉金属沉积所复制的对齐目标。第四A-C图系显示处理步骤的顺序的截面图,于此显示氧化及CMP平面化步骤后当金属沉积时对齐目标的损失。第五A-D图系显示处理步骤的顺序的截面图,于此显示在氧化层之后金属沉积之体,当CMP平面化步骤使用时,如何使用视窗光罩程序及藉着蚀刻而提供对齐目标。第六图系显示依据本创作所构成之晶圆上的对齐目标及其各别位置之上视图。第七A图系显示依据本创作所构成的用于保持晶圆的装置,其乃用于金属沉积装置中。第七B图系显示第七A图中的保持装置之截面图,于此亦显示使用于金属沉积装置中的目标。第八A-C图系显示处理步骤的顺序的截面图,于此显示当CMP平面化步骤使用时如何利用依据本创作所设计的保持装置去保持对齐目标,其乃于金属沉积时,藉由完全覆盖对齐目标而达成。