发明名称 Integrated comparator circuit
摘要 Der Komparator enthält eine Eingangsstufe mit komplementären MOSFET (1, 2) und eine nachgeschaltete Inverterstufe mit zwei weiteren komplementären MOSFET (3, 4). Die Gateanschlüsse der komplementären MOSFET (1, 2) der Eingangsstufe sind mit dem Verbindungspunkt (10) der MOSFET der Eingangsstufe und mit den Gateanschlüssen der komplementären MOSFET (3, 4) der Inverterstufe verbunden. Das Eingangssignal (Ue) wird zwischen die Reihenschaltung der MOSFET (1, 2) und einen Anschluß (5; 15) für eine Versorgungsspannung angelegt. Zwischen diesen Anschluß (5; 15) und der Reihenschaltung der MOSFET (3, 4) der Inverterstufe ist eine Referenzspannung (VR) angelegt, die die Schaltschwelle der Komparatorschaltung bestimmt. Die MOSFET (1, 2, 3, 4) gleichen Kanaltyps sind jeweils gleich aufgebaut. Vorteile: Einfacher Schaltungsaufbau, temperaturunempfindlich <IMAGE>
申请公布号 EP0753754(A2) 申请公布日期 1997.01.15
申请号 EP19960110569 申请日期 1996.06.28
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 TIHANYI, JENOE, DR. ING.
分类号 G01R19/165;H03K5/08;H03K17/30;(IPC1-7):G01R19/165 主分类号 G01R19/165
代理机构 代理人
主权项
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