| 主权项 |
1.一种高分子化合物,其特征为:含有式(1)所示的反 复单元,而聚苯乙烯换算之数平均分子量为103至108 , [式中,Ar1及Ar2分别独立表示4价之芳族烃基或4价之 杂环基; X1及X2表示任一方为C(=O)或C(R1)(R2),而另一方为O、S 、C(=O)、Si(=O)、SO2、Si(R3)(R4)、N(R5)、B(P6)、P(R7)或P (=O)(R8); (式中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8分别独立表 示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、 烷胺基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳烷 基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷胺基、醯 基、醯氧基、醯胺基、亚胺基、取代甲矽烷基、 取代甲矽烷氧基、取代甲矽烷硫基、取代甲矽烷 胺基、1价之杂环基、芳烯基、芳乙炔基或氰基) M表示式(2)、式(3)或式(4)所表示的基; -Y1-Y2- (2) [式中,Y1及Y2分别独立表示O、S、C(=O)、S(=O)、SO2、C (R9)(R10)、Si(R11)(R12)、N(R13)、B(R14)、P(R15)或P(=O)(R16) , (式中,R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15以及R16分别独 立表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫 基、烷胺基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、 芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷胺基 、醯基、醯氧基、醯胺基、亚胺基、取代甲矽烷 基、取代甲矽烷氧基、取代甲矽烷硫基、取代甲 矽烷胺基、1价之杂环基、芳烯基、芳基乙炔基或 氰基)但,Y1为C(R9)(R10)、Si(R11)(R12)以外时,Y1与Y2不会 相同] -Y3=Y4- (3) [式中,Y3及Y4分别独立表示N、B、P、C(R17)或Si(R18), (式中,R17及R18分别独立表示氢原子、卤素原子、 烷基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、芳基、芳氧基 、芳硫基、芳胺基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基 烷硫基、芳基烷胺基、醯基、醯氧基、醯胺基、 亚胺基、取代甲矽烷基、取代甲矽烷氧基、取代 甲矽烷硫基、取代甲矽烷胺基、1价之杂环基、芳 烯基、芳基乙炔基或氰基)] -Y5- (4) [式中,Y5表示O、S、C(=O)、S(=O)、SO2、C(R19)(R20)、Si(R 21)(R22)、N(R23)、B(R24)、P(R25)或P(=O)(R26), (式中,R19、R20、R21、R22、R23、R24、R25以及R26分别 独立表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷 硫基、烷胺基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基 、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷胺 基、醯基、醯氧基、醯胺基、亚胺基、取代甲矽 烷基、取代甲矽烷氧基、取代甲矽烷硫基、取代 甲矽烷胺基、1价之杂环基、芳烯基、芳基乙炔基 或氰基)] Z1表示-CR36=CR37-或-C≡C-,R36及R37分别独立表示氢原 子、烷基、芳基、1价之杂环基或氰基,d表示0或1] 。 2.如申请专利范围第1项之高分子化合物,其中,式(1 )中,M系式(2)所示者。 3.如申请专利范围第2项之高分子化合物,其中,在 式(1)中,X1及Ar2系键结在Ar1之芳环碳之相邻接位置, X2及Ar1系键结在Ar2之芳环碳之相邻接位置,而Y1及Ar 2系键结在Ar1之芳环碳之相邻接位置,Y2及Ar1系键结 在Ar2之芳环碳之相邻接位置。 4.如申请专利范围第1项、第2项、第3项中任一项 之高分子化合物,其中,在式(1)中,Ar1及Ar2系苯环者 。 5.如申请专利范围第4项之高分子化合物,其中,在 式(1)中,Y1及X2为(C=O)者。 6.如申请专利范围第5项之高分子化合物,其中,在 式(1)中,Y1及X2为(C=O),而Y2及X1为O(氧原子)者。 7.如申请专利范围第1项、第2项或第3项中任一项 之高分子化合物,其中,在式(1)所示的反复单元之 合计为全反复单元之10莫耳%以上者。 8.如申请专利范围第1项、第2项或第3项中任一项 之高分子化合物,其中,系具有液晶性者。 9.如申请专利范围第1项、第2项或第3项中任一项 之高分子化合物,其中,在固体状态下具有萤光者 。 10.一种高分子电子元件,其特征为:含有申请专利 范围第1项至第9项之高分子化合物。 11.一种高分子发光元件,其特征为:在由阳极及阴 极而成的电极间具有发光层,而该发光层含有申请 专利范围第1项至第9项中任一项之高分子化合物 。 12.一种平面状光源,其特征为:含有申请专利范围 第11项之高分子发光元件。 13.一种段显示装置,其特征为:含有申请专利范围 第11项之高分子发光元件。 14.一种点矩阵显示装置,其特征为:含有申请专利 范围第11项之高分子发光元件。 15.一种液晶显示装置,其特征为:以申请专利范围 第11项之高分子发光元件作为背光。 |
