| 主权项 |
1.一种场发射极组合物,其包含: (i)一定量的二氧化矽; (ii)一定量的炭黑,其中该炭黑系来自柴油排气;及 (iii)一定量的混合介质; 其中该一定量的二氧化矽及该一定量的炭黑系分 散于该混合介质中,其中该混合介质包含一种选自 以下所组成之群组之成分:光阻剂;可藉由热处理 转化为金钢石之聚合物;及选自由环氧树脂、聚胺 基甲酸酯、聚丙烯酸酯、聚酯及聚醯亚胺所组成 之群之聚合物, 限制条件为该场发射极组合物不含石墨。 2.如申请专利范围第1项之组合物,其中该场发射极 组合物系界定为一期望图案。 3.如申请专利范围第1项之组合物,其中该混合介质 之黏度小于约1500厘泊。 4.如申请专利范围第1项之组合物,其中该混合介质 之黏度小于约250厘泊。 5.如申请专利范围第1项之组合物,其进一步包含一 有机溶剂,该有机溶剂为该场发射极组合物提供期 望之黏度。 6.如申请专利范围第1项之组合物,其中该场发射极 具有1伏/微米至20伏/微米之引出场。 7.如申请专利范围第1项之组合物,其中该混合介质 包含一流态氧化物。 8.如申请专利范围第7项之组合物,其中该流态氧化 物包含一旋涂玻璃。 9.如申请专利范围第2项之组合物,其中该场发射极 构成一积体电路之一部分。 10.如申请专利范围第1项之组合物,其中该场发射 极组合物系位于一基材表面上。 11.如申请专利范围第10项之组合物,其中该基材表 面系利用化学机械研磨步骤平面化。 12.如申请专利范围第10项之组合物,其中该基材表 面为一非平面表面。 13.一种用于制备场发射极调配物之方法,其包括以 下步骤: (i)提供第一数量之炭黑,其中该炭黑系来自柴油排 气; (ii)提供第二数量之混合介质,其中该混合介质包 含一种选自以下所组成之群组之成分:光阻剂;可 藉由热处理转化为金钢石之聚合物;及选自由环氧 树脂、聚胺基甲酸酯、聚丙烯酸酯、聚酯及聚醯 亚胺所组成之群之聚合物; (iii)提供第三数量之二氧化矽; (iv)混合该第一数量之炭黑、该第二数量之混合介 质与该第三数量之二氧化矽,以获得该场发射极调 配物,限制条件为该场发射极调配物不含石墨。 14.如申请专利范围第13项之方法,其进一步包括量 测该场发射极调配物具有一期望垂直方向电阻之 步骤。 15.如申请专利范围第13项之方法,其进一步包括固 化该场发射极调配物之步骤。 16.如申请专利范围第13项之方法,其进一步包括涂 施该场发射极调配物于一基材上之步骤。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中该基材包括 一导电材料。 18.如申请专利范围第16项之方法,其中该基材具有 一平面表面。 19.如申请专利范围第16项之方法,其中该基材具有 一非平面表面。 20.如申请专利范围第16项之方法,其中该基材包括 一挠性基材。 图式简单说明: 图1阐释了处理一场发射极调配物之流程图,该调 配物包含分散于一混合介质中之炭黑; 图2阐述了处理一场发射极调配物之流程图,该调 配物包含分散于一混合介质中之炭黑及二氧化矽; 图3阐述了根据图1及2所阐述之流程图处理的场发 射极调配物之电流对电场(I-E)曲线及一包含CNT之 场发射极组合物之对照I-E曲线; 图4阐释了一X-射线源,其包含根据本发明之一态样 处理之场发射极组合物;及 图5阐释了一高能量电子源用顶板构造之替代设置 。 |
