集成电路芯片上的I/O电路浮动电阻

摘要

本发明集成电路芯片上的I/O电路浮动电阻，涉及一种用CMOS工艺在集成电路芯片上集成的多个I/O电路浮动电阻。本发明每一个浮动电阻具有一个多晶硅电阻；该多晶硅电阻的两端并联一只P型场效应管和一只N型场效应管，其中该多晶硅电阻的电压恒定端连接上述两只场效应管的漏极，该多晶硅电阻的电压变动端连接上述两只场效应管的源极；P型场效应管的栅极接地，N型场效应管的栅极接一个电压恒定的控制电源的电压输出端。解决多晶硅浮动电阻精度低，同一种集成电路芯片有几种不同I/O电路阻抗的品种时需要单独设计制造，产品成本高的问题。本发明的浮动电阻寄生电容小，适合工作在高速I/O上。

主权项

1. 集成电路芯片上的I/O电路浮动电阻，每一个浮动电阻具有一个多晶硅电阻；其特征在于：该多晶硅电阻的两端并联一只P型场效应管和一只N型场效应管，其中该多晶硅电阻的电压恒定端连接上述两只场效应管的漏极，该多晶硅电阻的电压变动端连接上述两只场效应管的源极；P型场效应管的栅极接地，N型场效应管的栅极接一个电压恒定的控制电源的电压输出端；利用并联的一只P型场效应管和一只N型场效应管电流特性互补的特点，组成一个线性电阻，该线性电阻与一个阻值小于它的多晶硅电阻并联后的电阻阻值精度达到±5％-10％。