| 发明名称 | 一种片上集成硫化砷微盘腔及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种片上集成硫化砷微盘腔及其制作方法，其中，该微盘腔包括：自上而下层叠的微盘和支撑结构；所述微盘的尺寸大于所述支撑结构的尺寸。本发明实施例提供的片上集成硫化砷微盘腔及其制作方法能够提高片上集成硫化砷微盘腔的品质因子。 | ||
| 申请公布号 | CN105731352A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201610116421.X | 申请日期 | 2016.03.01 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 姜校顺;陈远;赵明霄;肖敏 |
| 分类号 | B81B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 孟金喆;胡彬 |
| 主权项 | 一种片上集成硫化砷微盘腔，其特征在于，包括：自上而下层叠的微盘和支撑结构；所述微盘的尺寸大于所述支撑结构的尺寸。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||