半导体装置、半导体装置的制造方法以及显示装置

摘要

提供一种将含有Cu的金属膜用于具有氧化物半导体膜的晶体管的新颖半导体装置以及该半导体装置的制造方法。该半导体装置包括晶体管，该晶体管包括：第一栅电极层；第一栅电极层上的第一栅极绝缘膜；第一栅极绝缘膜上的重叠于第一栅电极层的氧化物半导体膜；电连接于氧化物半导体膜的一对电极层；氧化物半导体膜及一对电极层上的第二栅极绝缘膜；以及第二栅极绝缘膜上的重叠于氧化物半导体膜的第二栅电极层。一对电极层包括Cu‑X合金膜(X是Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。

主权项

一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一栅电极；所述第一栅电极上的第一栅极绝缘膜；所述第一栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜重叠于所述第一栅电极；电连接于所述氧化物半导体膜的一对电极；所述氧化物半导体膜及所述一对电极上的第二栅极绝缘膜；以及所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极，该第二栅电极重叠于所述氧化物半导体膜，其中，所述一对电极包括Cu‑X合金膜，X是Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti。