| 主权项 |
1.一种半导体元件,包含;一基板(11;21)包含具有表面之绝缘板(11a)和至少一形成在该绝缘板之表面上导线(11b/11c);一电子电路构件(10;20),具有第一表面,在该第一表面对面之第二表面,及至少一电极(10a/10b)形成在该第一表面上且与至少一导线保持接触;及一凝固的黏接化合物(12;22),设置在该基板之第一表面和该电子构件之第一表面之间,使该电子电路构件黏接到该基板,而且由于在凝固期间之收缩,第一力(F1)施加到该电子电路构件的第一表面上,其特征为:一恢复化合物层(13;24)设置在该电子电路构件之第二表面,由于收缩使得第二力施加在该电子构件之第二表面上,因此,可以减少由于该第一力而施加在该电子构件之第一表面的力矩。2.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该凝固的黏接化合物和该恢复化合物层所用之化合物为环氧树脂系统中之合成树脂。3.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该合成树脂系在加热时凝固。4.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该凝固的黏接化合物和该恢复化合物层所用之化合物层为环氧树脂系统中之合成树脂,而且彼此之厚度大约相同。5.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中还包含一与该电子电路构件之第二表面保持接触且藉该恢复化合物层(24)黏接到该电子电路构件之散热片(23)。6.一种半导体元件的组合方法,其特征为包含以下步骤:a)制备一具有一至少有一导电层(11b/11c)形成在主表面之基板(11;21),一形成在该主表面上之黏接化合物层(15;30),一至少有一电极(10a/10b)突起于该电子电路构件反面且经该黏接化合物层相对于该至少一导电层的电子电路构件(10;20),和一形成在该电子电路构件之表面上之恢复化合物层(13;31)的中间结构;b)将该电子电路构件压向该黏接化合物层,使该至少一电极与至少一导电层接触;及c)至少凝固该黏接化合物层,使该电子电路构件固定到该基板。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该步骤a)包含之子步骤为:a-1)制备该电子电路构件(10),a-2)用该恢复化合物层(13)涂抹该电子电路构件之表面,a-3)用该恢复化合物层(15)涂抹该基板(11)之主表面,及a-4)将该电子电路构件(10)放置在该黏接化合物层上,使至少一电极与至少一导电层对准。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该黏接化合物层(15;30)在加热时会凝固。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该黏接化合物层(15)在第一温度时凝固,而该恢复化合物层(13)则在低于该第一温度之第二温度时会软化。10.如申请专利范围第9项之方法,其中热是经由该恢复化合物层(13)加到该黏接化合物层(15)。11.如申请专利范围第6项之方法,其中该步骤a)包含之子步骤为:a-1)制备该基板(21);a-2)用该黏接化合物层(30)涂抹该基板之主表面,a-3)将该电子电路构件(20)放置在该黏接化合物层上,至少一电极与至少一导电层对准,a-4)用该恢复化合物层(31)涂抹该上表面,及a-5)将散热片(23)放置在该恢复化合物上,而且该电子电路构件(20)经由该散热片(23)压向该黏接化合物层,使得至少一电极和该散热片分别沈入该黏接化合物层和该恢复化合物层。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该恢复化合物层同时在步骤c)中凝固。图式简单说明:第一图为以前技术之半导体元件结构的横截面图;第二图A到第二图C为以前技术之半导体元件,依序组合之过程横截面图;第三图为根据本发明之半导体元件结构的横截面图;第四图A到第四图D为根据本发明之半导体元件,依序组合之过程的横截面图;第五图为根据本发明之另一半导体元件结构的横截面图;及第六图A到第六图E为依序组合半导体元件之过程的横截面图。 |
