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发明名称 MOS TRANSISTOR AND ITS FABRICATION
摘要
申请公布号 KR0170513(B1) 申请公布日期 1999.02.01
申请号 KR19950034840 申请日期 1995.10.11
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 YU, JI-HYUNG
分类号 H01L27/08;(IPC1-7):H01L27/08 主分类号 H01L27/08
代理机构 代理人
主权项
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