梯形多晶硅插塞及其制造方法

摘要

一种形成更小尺寸梯形多晶硅接触插塞的方法,其利用最少一个多晶硅侧间隙壁作掩模,各向异性地蚀刻氧化层,以形成一用来沉积高掺杂浓度多晶硅的接触窗,其中沉积的高掺杂浓度的多晶硅用以形成接触插塞。根据本发明,可形成梯形的接触插塞,其工艺步骤简单,可适合于更小尺寸的接触插塞结构。

主权项

1．一种形成梯形接触窗的方法，包括以下步骤：(a)提供一半导体基底，该基底上形成有一介电层与一第一多晶硅层，且该第一多晶硅层位于该介电层之上；(b)在该第一多晶硅层内蚀刻一接触窗至暴露该介电层，以形成一第一多晶硅侧间隙壁；(c)利用该第一多晶硅侧间隙壁作为掩模，蚀刻该介电层至一预定深度，且不使该半导体基底暴露；(d)沉积一第二多晶硅层；(e)蚀刻该第二多晶硅层至暴露该介电层，以形成一第二多晶硅侧间隙壁；以及(f)利用该第二多晶硅侧间隙壁作为掩模，蚀刻该介电层以暴露该半导体基底。