| 主权项 |
1.一种供半导体装置制造用之洁净铝合金,此处至 少部分洁净铝合金表面系藉氧化涂覆层保护,该洁 净铝合金包含杂质微粒,让至少85%杂质微粒尺寸小 于5微米,于尺寸为5微米至20微米范围之杂质微粒 含量低于15%,以及尺寸大于20微米之杂质微粒含量 低于约1%,且不含大于40微米之杂质微粒。 2.如申请专利范围第1项之洁净铝合金,其中该杂质 微粒系由选自镁、矽、铁、铜、锰、锌、铬、钛 及其化合物组成的组群之杂质形成。 3.如申请专利范围第2项之洁净铝合金,其中铁存在 量之原子浓度系于约0.001%重量此至约0.2%重量比之 范围,以及铜之存在量为其原子浓度系于约0.15%重 量比至约0.3%重量比之范围。 4.如申请专利范围第3项之洁净铝合金,其中铁之存 在量为原子浓度低于约0.1%重量比,以及铜之存在 量为原子浓度系低于约0.25%重量比。 5.如申请专利范围第2项之洁净铝合金,其中该杂质 包括以规定之原子重量百分比存在之下列杂质:矽 系于约0.4%至约0.8%之范围;铁系于约0.001%至约0.2%之 范围;铜系于约0.15%至约0.3%之范围;以及镁系于约0. 8%至约1.2%之范围。 6.如申请专利范围第5项之洁净铝合金,其中该杂质 包括以规定之原子重量百分比存在之下列杂质:矽 系于约0.4%至约0.8%之范围;铁系于约0.001%至约0.2%之 范围;铜系于约0.15%至约0.3%之范围;锰系于约0.001% 至约0.14%之范围;锌系于约0.001%4至约0.15%之范围;铬 系于约0.04%至约0.28%之范围;钛系于约0.001%至约0.06% 之范围;以及镁系于约0.8%至约1.2%之范围,其中存在 于铝合金之其它杂质总重为0.15重量%或以下,其它 固体杂质限于最大含量各自为0.05重量%。 7.如申请专利范围第5或6项之洁净铝合金,其中该 铜之存在浓度系于约0.15重量%至约0.25重量%之范围 。 8.如申请专利范围第5或6项之洁净铝合金,其中该 铁之存在浓度系低于约0.1重量%。 9.一种制造供半导体加工用之防蚀物件之方法,其 中该物件包含由洁净铝合金制成之本体,以及其中 该本体欲暴露于腐蚀环境之至少一表面系覆盖以 阳极化层,以及其中至少该本体之覆盖以阳极化层 之表面为一种带有杂质微粒控制于下述限度范围 之铝合金,让85%杂质微粒尺寸小于5微米,于尺寸为5 微米至20微米范围之杂质微粒含量低于15%,以及尺 寸大于20微米之杂质微粒含量低于约1%,且不含大 于40微米之杂质微粒。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中该杂质微粒 包含选自镁、矽、铁、铜、锰、锌、铬、钛及其 化合物组成的组群之杂质。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中铁存在量之 原子浓度系于约0.001%重量此至约0.2%重量比之范围 ,以及铜之存在量为其原子浓度系于约0.15%重量此 至约0.3%重量比之范围。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中铁之存在量 为原子浓度低于约0.1%重量比,以及铜之存在量为 原子浓度系低于约0.25%重量比。 13.如申请专利范围第10项之方法,其中该杂质包括 以规定之原子重量百分比存在之下列杂质:矽系于 约0.4%至约0.8%之范围;铁系于约0.001%至约0.2%之范围 ;铜系于约0.15%至约0.3%之范围;以及镁系于约0.8%至 约1.2%之范围。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中该杂质系以 下述浓度存在:矽系于约0.4%至约0.8%之范围;铁系于 约0.001%至约0.2%之范围;铜系于约0.15%至约0.3%之范 围;锰系于约0.001%至约0.14%之范围;锌系于约0.001%至 约0.15%之范围;铬系于约0.04%至约0.28%之范围;钛系 于约0.001%至约0.06%之范围;以及镁系于约0.8%至约1.2 %之范围,其中存在于铝合金之其它杂质总重为0.15 重量%或以下,其它固体杂质限于最大含量各自为0. 05重量%。 15.如申请专利范围第13或14项之方法,其中该铜之 存在浓度系于约0.15重量%至约0.25重量%之范围。 16.如申请专利范围第13或14项之方法,其中该铁之 存在浓度系低于约0.1重量%。 17.一种供半导体装置制造用之洁净铝合金,此处该 洁净铝合金表面之至少一部分系由厚度于约30埃 至约50埃范围之天然氧化物保护,该洁净铝合金包 含杂质微粒,让至少85%杂质微粒尺寸小于5微米,于 尺寸为5微米至20微米范围之杂质微粒含量低于15%, 以及尺寸大于20微米之杂质微粒含量低于约1%,且 不含大于40微米之杂质微粒。 18.如申请专利范围第17项之洁净铝合金,其中该杂 质微粒系由选自镁、矽、铁、铜、锰、锌、铬、 钛及其化合物组成的组群之杂质形成。 19.如申请专利范围第18项之洁净铝合金,其中铁存 在量之原子浓度系于约0.001%重量此至约0.2%重量比 之范围,以及铜之存在量为其原子浓度系于约0.15% 重量比至约0.3%重量比之范围。 20.如申请专利范围第19项之洁净铝合金,其中铁之 存在量为原子浓度低于约0.1%重量比,以及铜之存 在量为原子浓度系低于约0.25%重量比。 21.如申请专利范围第20项之洁净铝合金,其中该杂 质包括以规定之原子重量百分比存在之下列杂质: 矽系于约0.4%至约0.8%之范围;铁系于约0.001%至约0.2% 之范围;铜系于约0.15%至约0.3%之范围;以及镁系于 约0.8%至约1.2%之范围。 22.如申请专利范围第21项之洁净铝合金,其中该杂 质包括以规定之原子重量百分比存在之下列杂质: 矽系于约0.4%至约0.8%之范围;铁系于约0.001%至约0.2% 之范围;铜系于约0.15%至约0.3%之范围;锰系于约0.001 %至约0.14%之范围;锌系于约0.001%至约0.15%之范围;铬 系于约0.04%至约0.28%之范围;钛系于约0.001%至约0.06% 之范围;以及镁系于约0.8%至约1.2%之范围,其中存在 于铝合金之其它杂质总重为0.15重量%或以下,其它 固体杂质限于最大含量各自为0.05重量%。 23.如申请专利范围第22项之洁净铝合金,其中该铜 之存在浓度系于约0.15重量%至约0.25重量%之范围。 24.一种制造供半导体加工用之防蚀物件之方法,其 中该物件包含由洁净铝合金制成之本体,以及其中 该本体欲暴露于腐蚀环境之至少一表面系覆盖以 厚度于约30埃至约50埃范围之天然氧化物层,以及 其中至少该本体之覆盖以天然氧化物层之表面为 一种带有杂质微粒控制于下述限度范围之铝合金, 让85%杂质微粒尺寸小于5微米,于尺寸为5微米至20 微米范围之杂质微粒含量低于15%,以及尺寸大于20 微米之杂质微粒含量低于约1%,且不含大于40微米 之杂质微粒。 25.如申请专利范围第24项之方法,其中该杂质微粒 包含选自镁、矽、铁、铜、锰、锌、铬、钛及其 化合物组成的组群之杂质。 26.如申请专利范围第25项之方法,其中铁存在量之 原子浓度系于约0.001%重量此至约0.2%重量比之范围 ,以及铜之存在量为其原子浓度系于约0.15%重量比 至约0.3%重量比之范围。 27.如申请专利范围第26项之方法,其中铁之存在量 为原子浓度低于约0.1%重量比,以及铜之存在量为 原子浓度系低于约0.25%重量比。 28.如申请专利范围第24项之方法,其中该杂质包括 以规定之原子重量百分比存在之下列杂质:矽系于 约0.4%至约0.8%之范围;铁系于约0.001%至约0.2%之范围 ;铜系于约0.15%至约0.3%之范围;以及镁系于约0.8%至 约1.2%之范围。 29.如申请专利范围第28项之方法,其中该杂质系以 下述浓度存在:矽系于约0.4%至约0.8%之范围;铁系于 约0.001%至约0.2%之范围;铜系于约0.15%至约0.3%之范 围;锰系于约0.001%至约0.14%之范围;锌系于约0.001%至 约0.15%之范围;铬系于约0.04%至约0.28%之范围;钛系 于约0.001%至约0.06%之范围;以及镁系于约0.8%至约1.2 %之范围,其中存在于铝合金之其它杂质总重为0.15 重量%或以下,其它固体杂质限于最大含量各自为0. 05重量%。 30.如申请专利范围第29项之方法,其中该铜之存在 浓度系于约0.15重量%至约0.25重量%之范围。 31.如申请专利范围第29项之方法,其中该铁之存在 浓度系低于约0.1重量%。 图式简单说明: 第1图显示用于半导体基板制造方法之习知反应器 室100之示意图。 第2图为结构200之示意顶视图,结构200于有缺陷208 之阳极化涂覆层204下方包含铝合金(图中未显示) 。 第3A图为显微相片之示意图,其显示导致第2图之阳 极化涂覆层204上表面209所示缺陷208之结构亦即铝 合金302及阳极化涂覆层304之剖面图。 第3B图为显微相片,其显示本发明之铝合金322之剖 面图,此处于阳极化涂覆层324上表面329未观察得任 何缺陷。 |
