| 主权项 |
1.一种研磨处理半导体晶圆(10)表面(11,12)之方法, 特别是用于像是记忆体元件或类似物之电子组成 元件制造期间, 其中,于早期进行之方法步骤(A),于复数个晶圆(10) 上欲处理之表面(11,12)之地形系藉至少部份机械途 径平面化, 以及于后期阶段进行之方法步骤(C),系液态化学组 成物(28)作用之下,藉回蚀而由平面化表面(14)去除 额外材料, 以及其中于平面化步骤(A)之后而于回蚀步骤(C)之 前,测量平面化层之层厚度(B),特别测量各别晶圆( 10)上之平面化层厚度, 其中 层厚度测量(B)之测量结果系用做为自动选择或配 方多种化学组成之一及/或经选定或经配方之化学 组成(28)用于进行凹蚀步骤(C)之作用时间的基础。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中用做为回蚀步 骤C之基础之参数系取自储存于资料处理单元之表 。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中用做为回蚀步 骤C之基础之参数系基于储存于资料处理单元之函 数计算而得。 4.一种进行半导体晶圆(10)表面(11,12)之磨蚀处理方 法的装置,特别是用于像是记忆体元件或类似物之 电子组成元件制造期间, 其中第一装置区包含平面化装置,该装置系用以藉 至少部份机械途径平面化复数个晶圆(10)于处理之 表面(11,12)之地形, 以及其中第二装置区包含一化学稳定容器,其系用 以回蚀晶圆表面(14), 以及一测量设备(21),其系用以测量平面化层之层 厚度, 其中 该包括测量设备(21)之装置区系连接至第二装置区 ,因此层厚度测量结果可传送给第二装置区,于该 处用于自动选择或配方多数化学组成物之一及/或 选定或经配方之化学组成物(28)用于进行凹蚀步骤 (C)之作用时间。 5.如申请专利范围第4项之装置,其中设置一资料处 理单元,其中储存与层厚度测量结果相关之制程参 数。 6.如申请专利范围第4项之装置,其中设置一资料处 理单元,其中可计算与层厚度测量结果有相依性之 制程参数。 7.如申请专利范围第4至6项中任一项之装置,其中 该第二装置区具有一控制装置(24),其系藉资料线 连接至测量设备(21)及/或资料处理单元。 8.如申请专利范围第7项中之装置,其中该控制装置 24为资料处理单元之一部份且系藉软体链结至测 量设备22。 9.如申请专利范围第4至6项中任一项之装置,其中 该回蚀区也包含用于清洁晶圆10之清洁装置。 图式简单说明: 图1:示意显示于本发明装置根据本发明之方法,以 及经处理晶圆之概略剖面说明图。 |
