| 主权项 |
1.一种主动矩阵基板之制造方法,为主动元件被形 成矩阵状而所构成之主动矩阵基板之制造方法,其 特征为:依据在被电气性连接于上述主动元件的画 素电极之形成领域上,以喷墨方式喷出混合有色料 及导电性材料之油墨的工程来形成作为画素电极 及彩色滤光片之作用的导电性着色层。 2.如申请专利范围第1项之主动矩阵基板之制造方 法,其中,于上述主动元件中,覆盖电气性连接上述 导电性着色层的一个电极以外之电极的位置上,将 构成黑色矩阵之绝缘层,形成规定高度后,实施喷 出上述油墨之工程。 3.如申请专利范围第1项之主动矩阵基板之制造方 法,其中,于形成上述导电性着色层之位置,形成具 有光反射性之反射层后,藉由实行喷出上述油墨之 上述工程,制造反射型主动矩阵基板。 4.如申请专利范围第3项之主动矩阵基板之制造方 法,其中,藉由在上述反射层上形成使光透过于层 的厚度方向之间隙,制造半透过型的主动矩阵基板 。 5.如申请专利范围第3项或第4项之主动矩阵基板之 制造方法,其中,于上述主动元件中,覆盖电气性连 接上述导电性着色层的一个电极以外之电极的位 置上,形成第1绝缘层,在上述第1的绝缘层上,形成 使上述导电性着色层电气性连接于上述1个电极之 上述反射层;及形成构成黑色矩阵之规定高度的第 2绝缘层后,实行喷出上述油墨之上述工程。 6.如申请专利范围第5项之主动矩阵基板之制造方 法,其中,上述第1绝缘层是形成于覆盖上述主动元 件全面之位置上;上述反射层是经由形成在上述第 1绝缘层之中对应于上述一个电极之位置上之触孔 ,而被电气性连接于上述1个电极。 7.如申请专利范围第1项至第4项中之任何一项的主 动矩阵基板之制造方法,其中,喷出上述油墨而所 形成之画素电极的颜色至少具有3种类。 8.如申请专利范围第1项至第4项中之任何一项的一 种主动矩阵基板之制造方法,其中,上述主动元件 是为薄膜电晶体(TFT)。 9.如申请专利范围第1项至第4项之任何一项的主动 矩阵基板之制造方法,其中,上述主动元件是为薄 膜二极体(TFD)。 10.一种液晶显示装置之制造方法,其特征为:于为 主动元件被形成矩阵状而所构成之主动矩阵基板 之制造方法,其特征为:依据在被电气性连接于上 述主动元件的画素电极之形成领域上,以喷墨方式 喷出混合有色料及导电性材料之油墨的工程来形 成作为画素电极及彩色滤光片之作用的导电性着 色层之主动矩阵基板之制造方法,所制造出之主动 矩阵基板,和上述主动矩阵基板作对向配置的对向 基板之间,封入液晶层。 11.一种电子机器之制造方法,其特征为:将依据于 为主动元件被形成矩阵状而所构成之主动矩阵基 板之制造方法,其特征为:依据在被电气性连接于 上述主动元件的画素电极之形成领域上,以喷墨方 式喷出混合有色料及导电性材料之油墨的工程来 形成作为画素电极及彩色滤光片之作用的导电性 着色层之主动矩阵基板之制造方法,所制造出之主 动矩阵基板和上述主动矩阵基板作对向配置的对 向基板之间,封入液晶层之方法,而制造出之液晶 显示装置当作显示手段予以使用。 图式简单说明: 第1图系显示第1实施形态制造工程一例。 第2图系显示第1实施形态制造工程一例。 第3图系显示第1实施形态制造工程一例。 第4图系显示第1实施形态制造工程一例。 第5图系指第2实施形态其主动矩阵及液晶显示装 置的平面图与A-A'线断面图。 第6图系指第3实施形态其主动矩阵及液晶显示装 置的制造工程断面图。 第7图系指第3实施形态之变形例其主动矩阵及液 晶显示装置的制造工程断面图。 第8图系指第3实施形态其它变形例之主动矩阵及 液晶显示装置的制造工程断面图。 第9图系显示第4实施形态的制造工程一例。 第10图系显示第4实施形态的制造工程一例。 第11图系显示第4实施形态的制造工程一例。 第12图系显示第4实施形态的制造工程一例。 第13图系显示第4实施形态的变形例之制造工程一 例。 第14图系显示第4实施形态的变形例之制造工程一 例。 第15图系显示第4实施形态的变形例之制造工程一 例。 第16图是以本发明之实施形态制造方法,制造出笔 记型个人电脑之斜视图。 |
