Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers mit einer Rekombinationszone, Halbleiterbauelement mit einer Rekombinationszone und Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelements

摘要

In einem Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers werden Fremdstoffe, die in dem Halbleiterkörper als Rekombinationszentren wirken und eine Rekombinationszone ausbilden, während des Herstellungsprozesses des Halbleiterkörpers in den Halbleiterkörper eingebracht. Bei einem Halbleiterbauelement, das einen Halbleiterkörper mit einer vorderen Oberfläche und einer gegenüberliegenden hinteren Oberfläche aufweist sowie eine durch Fremdstoffe gebildete Rekombinationszone zwischen der vorderen und der hinteren Oberfläche aufweist, wobei die Fremdstoffe als Rekombinationszentren wirken, ist die Oberflächenzustandsdichte an der vorderen und hinteren Oberfläche des Halbleiterkörpers genauso groß wie die Oberflächenzustandsdichte an der vorderen und hinteren Oberfläche eines gleichen Halbleiterkörpers ohne Rekombinationszone.