| 摘要 |
Es wird eine Rückkontaktsolarzelle und ein Verfahren zu deren Herstellung vorgestellt, bei der in einem Halbleitersubstrat 1 längliche Emitterbereiche 5 und längliche Basisbereiche 7 in einer fein ineinander verzahnt angeordneten Weise an deren Rückseiten-Oberfläche gebildet sind. Die länglichen Emitterbereiche 5 werden von zu diesen quer verlaufenden länglichen Emitterkontakten 11 kontaktiert und die länglichen Basisbereiche 7 werden von zu diesen quer verlaufenden länglichen Basiskontakten 13 kontaktiert. Die Strukturbreite der Emitter- und Basisbereiche 5, 7 ist dabei wesentlich kleiner als die Strukturbreite der Emitter- und Basiskontakte. Dadurch kann einerseits durch die feine Verzahnung von Emitter- und Basisbereichen 5, 7 sowohl eine gute Strom-sammelnde Eigenschaft als auch niedrige Serienwiderstände innerhalb des Halbleitersubstrats erreicht werden, andererseits können die Metallkontakte aufgrund ihrer gröberen Strukturen in einfacher, zuverlässiger Weise herstellt werden.
|
