具有掩埋掺杂区域和接触结构的半导体器件

摘要

本发明涉及具有掩埋掺杂区域和接触结构的半导体器件。一种半导体器件包括在距半导体本体（100）的主表面（101z）第一距离（d1）中的掩埋掺杂区域（430, 129a, 110）。接触结构（410）从所述主表面（101z）延伸到所述掺杂区域（430, 129a, 110）。接触结构（410）包括由金属-半导体合金制成的直接邻接所述掺杂区域（430, 129a, 110）的接触层（411）。所述接触结构（410）还包括由金属或导电金属化合物制成的填充结构（412）。绝缘体结构（420）在平行于所述主表面（101z）的截面中包围所述接触结构（410）。

主权项

一种半导体器件，其包括：在半导体本体（100）中在距主表面平面（101z）第一距离（d1）处的掩埋掺杂区域（430, 129a, 110）；从所述主表面平面（101z）延伸到所述掺杂区域（430, 129a, 110）的接触结构（410），其中所述接触结构（410）包括直接邻接所述掺杂区域（430, 129a, 110）的接触层（411）以及填充结构（412），其中所述接触层（411）由金属半导体合金形成并且所述填充结构（412）包括金属或导电金属化合物；和在平行于所述主表面平面（101z）的平面中包围所述接触结构（410）的绝缘体结构（420），其中所述绝缘体结构（420）在横向上直接邻接所述接触结构（410）。