发明名称 |
具有局部电流吸收器的存储器装置 |
摘要 |
本发明涉及具有局部电流吸收器的存储器装置。本发明揭示一种具有局部电流吸收器的存储器装置。在特定实施例中,揭示一种电子装置。所述电子装置包含一个或一个以上写入驱动器。所述电子装置包含至少一个磁性隧道结MTJ,其耦合到位线且耦合到源极线。所述电子装置还包含电流吸收器电路,所述电流吸收器电路包括单个晶体管,所述单个晶体管耦合到所述位线且耦合到所述源极线。 |
申请公布号 |
CN105719700A |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201610035201.4 |
申请日期 |
2011.05.10 |
申请人 |
高通股份有限公司 |
发明人 |
金正丕;哈里·M·拉奥 |
分类号 |
G11C29/02(2006.01)I;G11C29/12(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)N |
主分类号 |
G11C29/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
宋献涛 |
主权项 |
一种方法,其包括:在耦合到位线且耦合到源极线的磁性隧道结MTJ处起始第一写入操作,其中所述第一写入操作将第一电压施加到所述源极线以在所述MTJ处存储第一数据值,且其中所述第一写入操作具有第一放电路径,所述第一放电路径是从所述MTJ经由写入驱动器到接地的电流路径和从所述MTJ经由电流吸收器电路到接地的电流路径中的较短者;在所述MTJ处起始第二写入操作,其中所述第二写入操作将第二电压施加到所述位线以在所述MTJ处存储第二数据值,且其中所述第二写入操作具有从所述MTJ经由所述写入驱动器到接地的第二放电路径。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |