| 摘要 |
본 발명은 프로세스 챔버 및 반도체 가공 장비를 제공한다. 상기 프로세스 챔버는 적어도 2개의 반응 챔버, 서로 독립되는 적어도 2개의 흡기 시스템 및 칩 전송장치를 포함하고, 상기 적어도 2개의 반응 챔버는 프로세스 챔버의 내부에 설치되며, 원주방향에 따라 균일하게 분포되고, 각 반응 챔버내에는 독립된 프로세스 분위기를 구성하며, 흡기 시스템은 1대 1로 대응되게 반응 챔버로 프로세스 가스를 운송하고, 칩 전송장치는 칩을 반응 챔버내에 전송한다. 본 발명에 따른 프로세스 챔버 및 반도체 가공 장비에 있어서, 단일 프로세스 챔버는 동시에 2개 이상의 공정을 수행할 수 있으므로, 프로세스 챔버의 구조가 콤펙트하고, 차지하는 공간이 작으며, 또한 전송 챔버의 구조를 다시 설계할 필요가 없어, 장비의 제조원가를 낮출 수 있다. |
