VERFAHREN UND STRUKTUR ZUR EPI-ERWEITERUNGS-ÜBERGANGSSTEUERUNG EINER MULTIGATE-FINFET-EINHEIT DURCH WASSERSTOFFBEHANDLUNG

摘要

Ausführungsformen betreffen das Bilden einer Struktur, welche mindestens eine Finne, ein Gate und einen Abstandhalter aufweist, das Anwenden eines Temperverfahrens auf die Struktur, um zwischen der mindestens einen Finne und dem Abstandhalter eine Lücke zu erzeugen, und das Anwachsen einer epitaxialen Halbleiterschicht in der Lücke zwischen dem Abstandhalter und der mindestens einen Finne.