単結晶蛍光体を有する白色発光ダイオードとその製造方法

摘要

本発明に従って、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、またはＡｌＧａＮからなる群から選択されるチップの上方に配置される単結晶蛍光体を有するダイオードでは、単結晶蛍光体（２１）が、チョクラルスキー法、ＨＥＭ法、バグダサロフ法、キロプロス法、またはＥＦＧ法からなる群から選択される方法で融液から成長させた、Ｃｅ3+、Ｔｉ3+、Ｃｒ3+、Ｅｕ2+、Ｓｍ2+、Ｂ3+、Ｃ、Ｇｄ3+、またはＧａ3+からなる群から選択される原子をドープしたＬｕＹＡＧおよび／またはＹＡＰおよび／またはＧＧＡＧをホストとして作製された単結晶インゴット（５１）から作製され、このとき、Ｌｕ3+、Ｙ3+、およびＡｌ3+原子は、ホストにおいて、最大９９．９％の量でＢ3+、Ｇｄ3+、またはＧａ3+原子と置き換えることができる。蛍光体（２１）の組成および製造方法、その表面の処理および形状、ならびにダイオード全体の構造により、ダイオードのＩｎＧａＮチップ（１３）自体から、照らされている物体の方への変換光の取り出しが確保され、かつ、単結晶蛍光体（２１）と封止材（３１）の界面、または単結晶蛍光体（２１）と周囲環境（４４）の界面における全反射効果を制限する。【選択図】図２