| 摘要 |
直接転送マーチングメモリは、それぞれにセル電子を蓄積した電子蓄積領域を有する複数のビットレベル・セルの１次元配列によって、バイトサイズ又はワードサイズ単位の情報を格納する複数のメモリユニットを配列したアレイを備える。バイトサイズ又はワードサイズ単位の情報は、ビットレベル・セルの１次元配列の方向と直交する方向に沿って、ステップごとに、同期転送される。着目した特定メモリユニットに割り当てられた１つの電子蓄積領域（１９２ｊ−１）に蓄積されたセル電子が、特定メモリユニットに隣接する次列のメモリユニットに割り当てられた隣接電子蓄積領域（１９２ｊ）に直接転送され、組み合わせ論理ゲート回路の機能を用いることなく、セル電子の転送が制御信号により直接制御される。 |
