摘要 |
【課題】簡単なセル構成で書き込み動作および読み出し動作を行うことのできる磁気メモリを提供する。【解決手段】本実施形態の磁気メモリは、第1端子および第2端子を有する導電性の非磁性層と、前記第1端子と前記第2端子との間の前記非磁性層の領域に設けられた磁気抵抗素子であって、第1磁性層と、前記非磁性層の前記領域と前記第1磁性層との間に設けられた第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた非磁性中間層と、を有する磁気抵抗素子と、第3および第4端子と、制御端子とを有し、前記第3端子が前記第1端子に接続されたトランジスタと、前記第1磁性層に接続されるとともに前記第4端子に接続された第1配線と、前記制御端子に接続された第2配線と、前記第2端子に接続された第3配線と、を備えている。【選択図】図1A |