发明名称 |
Formation of metal oxide masks, especially by reactive ion etching. |
摘要 |
Strukturierung von Metalloxidmasken, z.B. durch reaktives Ionenstrahlätzen. Zur Herstellung kleiner und kleinster Strukturen in der Mikroelektronik werden in der Regel Fotolacke bzw. Lacke, die elektronen- oder röntgenstrahlempfindlich sind (z. B. PMMA), als Maskierung verwendet. Mit zunehmender Integration muß auch die Lackdicke verringert werden. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Verwendung von Sputter- oder Ionenstrahlätzen auch bei sehr ungünstigen Lackhöhen zu Ätztiefenverhältnissen verwendbar wu machen. Dies geschieht in der Weise, daß anstelle der Metallmaskierung eine Metalloxidmaskierung (3) verwendet wird, die mittels reaktiven Sputter- oder Ionenstrahlätzen strukturiert wird und anschließend diese strukturierte Metalloxidschicht als Maskierung der darunterliegenden Schicht (2) für einen Trockenätzvorgang, z.B Sputter- oder Ionenstrahlätzen, dient.
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申请公布号 |
EP0056845(A2) |
申请公布日期 |
1982.08.04 |
申请号 |
EP19810108438 |
申请日期 |
1981.10.16 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN |
发明人 |
MATHUNI, JOSEF, DR. DIPL.-PHYS.;UNGER GEB. LEE, KARIN |
分类号 |
H01L21/302;G03F7/09;G03F7/40;H01L21/033;H01L21/3065;(IPC1-7):H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/302 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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