半导体装置中分析缺点的方法

摘要

为验证制造程序进行所产生之缺点是否导致该等装置操作时之电气故障，及验证导致电气故障系产生来任何程序，且提供一方法用以分析半导体装置的缺点，包含该等步骤：测量每一程序产生的实质缺点之位址；转换该等实质缺点为逻辑列行位址资料；及比较由该等实质缺点的位址转换成的该逻辑列位址资料，与整体程序完成后所测量的电气故障资料。

主权项

1.一种用以分析一半导体装置内缺点的方法,包含下列步骤:测量每一程序产生的实质缺点之位置;转换该等实质缺点位置为列行址资料;及比较由该等实质缺点位置转换的该逻辑列行位址资料与整个程序完成后所测量的电气故障资料。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中将该等实质缺点位置转换成逻辑列行位址资料之步骤系使用该装置布局资讯。图式简单说明:第一图是展示根据本发明相同转换的一流程图;第二图是根据本发明的16M动态随机存取记忆器;及第三图则显示经由扫描电子显微镜所得一装置内产生的缺点。