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发明名称 CMOS integrated circuit architecture incorporating deep implanted emitter region to form auxiliary bipolar transistor
摘要
申请公布号 EP0694970(A3) 申请公布日期 1996.02.28
申请号 EP19950111230 申请日期 1995.07.18
申请人 HARRIS CORPORATION 发明人 FULLER, ROBERT T.;MCCARTY, CHRIS;GASNER, JOHN T.;CHURCH, MICHAEL D.
分类号 H01L27/06;(IPC1-7):H01L27/06 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
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