| 主权项 |
1.一种资讯记忆装置,具有使用磁阻效果记忆资讯 的资讯记忆元件;其特征为: 安装前述资讯记忆元件时所使用的树脂材料,系由 混入高导磁率材料者所构成。 2.如申请专利范围第1项之资讯记忆装置,其中 前述树脂材料,系形成于前述资讯记忆元件表面的 至少一部份或全面。 3.一种资讯记忆装置,具有使用磁阻效果记忆资讯 的资讯记忆元件;其特征为: 前述资讯记忆元件,其表面至少一部份或全面上, 形成有高导磁率材料膜或含有高导磁率材料的薄 膜。 4.如申请专利范围第3项之资讯记忆装置,其中 含有前述高导磁率材料的薄膜,系由含有高导磁率 材料的树脂膜所构成。 5.一种资讯记忆装置,具有使用磁阻效果记忆资讯 的资讯记忆元件;其特征为: 供安装前述资讯记忆元件的基板,系由混入高导磁 率材料者所构成。 6.一种资讯记忆装置,具有使用磁阻效果记忆资讯 的资讯记忆元件;其特征为: 供安装前述资讯记忆元件之基板,其表面至少一部 份或全面上,形成有高导磁率材料膜或含有高导磁 率材料的薄膜。 7.如申请专利范围第6项之资讯记忆装置,其中 含有前述高导磁率材料的薄膜,系由含有高导磁率 材料的树脂膜所构成。 8.一种资讯记忆装置,具有使用磁阻效果记忆资讯 的资讯记忆元件;其特征为: 前述资讯记忆装置的散热器,系由至少含有高导磁 率材料者所构成。 9.如申请专利范围第6项之资讯记忆装置,其中 前述散热器,其至少一部份或整体,系由高导磁率 材料所构成。 10.一种资讯记忆装置,具有使用磁阻效果记忆资讯 的资讯记忆元件;其特征为: 前述资讯记忆装置的散热器,其表面系形成有高导 磁率材料膜或含有高导磁率材料的薄膜。 11.如申请专利范围第10项之资讯记忆装置,其中 含有前述高导磁率材料的薄膜,系由含有高导磁率 材料的树脂膜所构成。 12.一种安装有一资讯记忆装置之电子机器,资讯记 忆装置具备使用磁阻效果以记忆资讯的资讯记忆 元件,其特征为: 前述电子机器的框体,系由至少含有高导磁率材料 者所构成。 13.一种安装有一资讯记忆装置之电子机器,资讯记 忆装置具备使用磁阻效果以记忆资讯的资讯记忆 元件,其特征为: 前述电子机器的框体,其表面及背面中至少一部份 或全面上,形成有高导磁率材料膜或含有高导磁率 材料的薄膜。 14.如申请专利范围第13项之安装有资讯记忆装置 之电子机器,其中 含有前述高导磁率材料的薄膜,系由含有高导磁率 材料的树脂膜所构成。 图式简单说明: 图1为本发明之资讯记忆装置第一实施形态的概略 构成剖面图。 图2为本发明之资讯记忆装置第二实施形态的概略 构成剖面图。 图3为本发明之资讯记忆装置第四实施形态的概略 构成剖面图。 图4为第四实施形态之其他实施例的概略构成剖面 图。 图5为本发明之电子机器的实施形态图:(1)、(2)为 电子机器的外观图;(3)为部分剖面图。 图6为本发明之电子机器实施形态的部分剖面图。 |
