| 主权项 |
1.一种具下列化学式11的化合物: 化学式11 其中, a与b分别代表莫耳数,满足a:b的比例范围为0.1-1.0:0. 1-1.0; R'为氢或甲基; R1与R2可为相同或不同,分别代表一含有1-5个碳的 线性烷基;以及 R3为一氢原子或一经取代或未取代之含有1-5个碳 的线性或分枝烷基, 且该化合物之分子量介于4,000~12,000之间。 2.如申请专利范围第1项所述之化学式11的化合物, 其中R'与R3分别为一氢原子,且R1与R2可为相同或不 同,为一甲基或乙基,如同下列化学式2或3所示: 化学式2 化学式3 3.一种制备如申请专利范围第1项所述之化学式11 的化合物之方法,包括下列步骤: 将构成化学式11之化合物的单体溶解于一有机溶 剂中;以及 将该所得溶液与一含有交键聚合起始剂的氮气或 氩气中反应。 4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中单体系分 别指一种具下列化学式1之化合物与一种具下列化 学式2之化合物: 化学式1 化学式2 。 5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该溶剂系 选择自四氢喃、甲苯、苯、甲乙酮、1,4-环氧己 酮及其混合物所组成之族群中。 6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中所述之聚 合反映起始剂系选择自2,2-双偶氮异丁(AIBN)、过 氧化二苯甲醯、过氧化二乙醯、过氧化双十二烷 、第三-二丁醚及其混合物所组成之族群中。 7.一种有机抗反射膜组成物,系包含一种具化学式 11之化合物与一种具下列化学式12之化合物: 化学式12 其中: c是1; R"是氢或是一甲基;以及 R4代表一含有1-5个碳的线性烷基, 且该具化学式11之化合物占该组成物之1.5~2.9重量 百分比,该具化学式12之化合物占该组成物之1.0~1.9 重量百分比。 8.如申请专利范围第7项所述之有机抗反射膜组成 物,其中R4为乙基或丙基,而为下列化学式5或6: 化学式5 化学式6 9.如申请专利范围第7项所述之有机抗反射膜组成 物,更包括有一有机溶剂与一热酸产生剂。 10.如申请专利范围第9项所述之有机抗反射膜组成 物,其中该有机溶剂系选择自3-甲氧基丙酸甲酯、3 -乙氧基丙酸乙酯、丙二醇甲基醚醋酸、2-庚酮、 四氢喃及其混合物所组成之族群。 11.如申请专利范围第9项或第10项所述之有机抗反 射膜组成物,其中有机溶剂的使用量为化学式11与 12的化合物重量的2000至4000%(重量百分比)。 12.如申请专利范围第9项所述之有机抗反射膜组成 物,其中热酸产生剂系选择自下列化学式7至10之化 合物及其混合物所组成之族群中: 化学式7 化学式8 化学式9 化学式10 13.如申请专利范围第9项或第12项所述之有机抗反 射膜组成物,其中热酸产生剂的使用量为化学式11 与12之化合物总重量的0.1至10%间(重量百分比)。 14.一种利用申请专利范围第9项之有机抗反射膜组 成物以生成一抗反射膜图形之方法,系包含下列步 骤: 将有机抗反射膜组成物涂在欲蚀刻层上; 将涂上有机抗反射膜组成物之欲蚀刻层烤乾; 将有机抗反射膜上涂布一层光阻膜,将光阻膜在光 源下曝光以形成已曝光之光阻膜,以制成一光阻图 形;以及 相继蚀刻有机抗反射层与以光阻图形作为蚀刻光 罩之欲蚀刻层。 15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该烤乾 步骤系在100℃至250℃间进行1至5分钟。 16.如申请专利范围第14项所述之方法,更包括在曝 光步骤之前或之后的一烤乾步骤。 17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该烤乾 步骤在70℃至200℃间进行。 18.如申请专利范围第14项或第16项所述之方法,其 中该曝光步骤之光源乃选择自包括ArF、KrF与EUV之 深紫外光、电子束、X光、离子束及其混合所组成 之族群。 19.如申请专利范围第14项或第16项所述之方法,其 中曝光步骤乃在光源能量范围0.1-20毫焦耳/平方公 分间进行。 20.一种半导体装置,包括一抗反射膜图形,该抗反 射膜图形系利用如申请专利范围第9项所述之有机 抗反射膜组成物所形成。 图式简单说明: 第1图系根据本发明之利用有机抗反射膜组成物所 生成之界限清楚且垂直的图形照片。 |
