发明名称 |
用于防止薄晶圆破裂的结构和方法 |
摘要 |
本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。将诸如集成电路管芯的器件安装在诸如另一管芯、封装衬底、内插器等的衬底上,并且沿着划线在衬底中形成凹槽。在凹槽中以及在邻近的管芯之间形成一个或多个模塑料层。可以实施背侧减薄工艺以暴露凹槽中的模塑料。在凹槽中的模塑料层中实施分割工艺。在实施例中,在凹槽中形成第一模塑料层,并且在第一模塑料层上方以及在邻近的管芯之间形成第二模塑料。可以在形成凹槽之前或之后,将器件放置在衬底上。本发明涉及用于防止薄晶圆破裂的结构和方法。 |
申请公布号 |
CN105719976A |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201510654697.9 |
申请日期 |
2015.10.12 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
林士庭;林俊成;卢思维;洪瑞斌 |
分类号 |
H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;李伟 |
主权项 |
一种形成半导体器件的方法,所述方法包括:提供安装在衬底的第一侧上的第一管芯和第二管芯,其中,所述衬底在所述第一管芯和所述第二管芯之间具有凹槽;在所述凹槽中形成一个或多个模塑料层,至少一个所述模塑料层沿着所述第一管芯和所述第二管芯的侧壁延伸;在所述凹槽中分割所述衬底以形成分割的结构。 |
地址 |
中国台湾新竹 |