Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben

摘要

Eine Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung weist ein Siliziumkarbid-Substrat (10), einen Gate-Isolierfilm (15) und eine Gate-Elektrode (27) auf. Das Siliziumkarbid-Substrat (10) weist eine erste Hauptfläche (10a) und eine zweite Hauptfläche (10b) gegenüber der ersten Hauptfläche (10a) auf. Der Gate-Isolierfilm (15) ist in Kontakt mit der ersten Hauptfläche (10a) des Siliziumkarbid-Substrats (10) vorgesehen. Die Gate-Elektrode (27) ist auf dem Gate-Isolierfilm (15) vorgesehen, so dass der Gate-Isolierfilm (15) zwischen der Gate-Elektrode (27) und dem Siliziumkarbid-Substrat (10) liegt. In einem ersten Belastungstest, in dem für 100 Stunden eine Gate-Spannung von –5 V bei einer Temperatur von 175°C an die Gate-Elektrode (27) angelegt ist, beträgt ein Absolutwert einer Differenz zwischen einer ersten Schwellenspannung und einer zweiten Schwellenspannung nicht mehr als 0,5 V, wobei eine Schwellenspannung vor dem ersten Belastungstest als die erste Schwellenspannung und eine Schwellenspannung nach dem ersten Belastungstest als die zweite Schwellenspannung definiert sind. Somit können eine Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung mit verringerten Schwellenspannungsschwankungen und ein Verfahren zur Herstellung derselben bereitgestellt werden.