| 摘要 |
多層膜をプラズマエッチングする際に，凹部の下端形状を拡大しながらも，下地ロスを抑制する。ＣＦ系ガスと酸素ガスを含む処理ガスを処理室内に導入してプラズマエッチングを行うことによって，下地シリコン膜上に形成された比誘電率の異なる第１膜及び第２膜が交互に積層された積層膜を有する多層膜に所定深さまで凹部を形成するメインエッチング工程と，その後に下地シリコン膜が露出するまで凹部を形成するオーバーエッチング工程とを行い，オーバーエッチング工程はＣＦ系ガスに対する酸素ガスの流量比をメインエッチングよりも増加させて行う第１オーバーエッチングと，ＣＦ系ガスに対する酸素ガスの流量比を第１オーバーエッチングよりも減少させて行う第２オーバーエッチングとを２回以上繰り返す。（図７） |
