| 发明名称 | 半导体元件结构之制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件结构之制造方法，包括下列步骤：提供一矽基底，在该矽基底中完成浅渠沟隔离的制造步骤，接着形成一闸极氧化层以及形成复晶矽层，以蚀刻制程技术，在该复晶矽层上作接触窗蚀刻。接着金属插塞植入与复晶植入同时进行，利用化学气相沈积法沈积金属钨介层窗及矽化钨层并回蚀刻。最后，利用微影及蚀刻步骤来定义源/汲极之图案，并作源/汲极离子植入，然后退火使插塞与源/汲极接面相连。 | ||
| 申请公布号 | TW362272 | 申请公布日期 | 1999.06.21 |
| 申请号 | TW086106776 | 申请日期 | 1997.05.21 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 徐振聪 |
| 分类号 | H01L23/522 | 主分类号 | H01L23/522 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一 | |
| 主权项 | 1.一种半导体元件结构之制造方法,包括下列步骤:(a)提供一矽基底;(b)在该矽基底中完成浅渠沟隔离的制造步骤;(c)接着形成一闸极氧化层以及形成一复晶矽层;(d)以蚀刻制程技术,在该复晶矽层上作接触窗蚀刻;(e)接着同时进行金属插塞植入与复晶植入;(f)沈积金属钨介层窗及矽化钨层并回蚀刻;以及(g)利用微影及蚀刻步骤来定义源/汲极之图案,并作源/汲极离子植入,然后退火使插塞与源/汲极接面相连。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤f之该沈积法是利用化学气相。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤g之该钨接触窗到复晶边缘之错误对准规则约0.05m-0.15m。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤g之该蚀刻步骤是用反应离子蚀刻。图式简单说明:第一图A-第一图E显示习知一种金属层与复晶矽层为两层之构造剖面示意图;以及第二图A至第二图D绘示根据本发明之一较佳实施例,一种金属层与复晶矽层为一层之构造剖面示意图。 | ||
| 地址 | 新竹科学工业园区工业东三路三号 | ||