发明名称 顶部覆盖的铜电气互连
摘要 本发明一般系关于顶部覆盖之铜电气互连用的新结构和方法。更特定言之,本发明包含一种新颖的结构,其中将半导体基板之内的一个或多个铜电气互连顶部覆盖以获得强韧的电气互连结构。也揭示一种得到此种顶部覆盖之铜电气互连结构的方法。这些顶部覆盖的互连可以是单层或多层结构。同样地,顶部覆盖的互连结构本身可由单或多层排列的材料组成。
申请公布号 TW362271 申请公布日期 1999.06.21
申请号 TW085100476 申请日期 1996.01.16
申请人 万国商业机器公司 发明人 艾瑞克.丹尼尔.普菲克图;姆克塔.夏吉.法洛奎;乔治.尤金.怀特;瑟亚纳拉亚纳.卡贾
分类号 H01L23/52 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种覆盖顶部的电气互连结构,其包含具有至少一层种晶层的一基板,在该至少一层种晶层之一部分上的铜材料及至少一种顶部覆盖材料,其完全包住该铜材料,其中该至少一种顶部覆盖材料的一部分与该种晶层的一部分形成电气接触且其中该种晶层的侧壁不会具有任何的顶部覆盖材料。2.根据申请专利范围第1项之结构,其中该至少一层种晶层包含一层的铬及一层的铜。3.根据申请专利范围第1项之结构,其中该至少一层金属性顶部覆盖材料选自含有铝、铬、钴、镍、金、钯、铂和银的群体。4.根据申请专利范围第1项之结构,其中该至少一层种晶层是至少约0.05微米厚。5.根据申请专利范围第1项之结构,其中该铜层的厚度是在约0.5微米和约100.0微米之间,且较好是在的2.0微米和约25.0微米之间。6.根据申请专利范围第1项之结构,其中该顶部覆盖层的厚度是在约0.005微米和约10.000微米之间,且较好是在约0.010微米和约1.000微米之间,且更好是在约0.100微米和约1.000微米之间。7.根据申请专利范围第1项之结构,其中至少一部分的该基板选自含有陶瓷基板或玻璃陶瓷基板的群体。8.根据申请专利范围第1项之结构,其中该基板具有至少一个内部电气互连,且其中该至少一个内部电气互连中之至少一个,电气连接至该覆盖顶部的电气互连。9.根据申请专利范围第8项之结构,其中该至少一个内部电气互连选自含有通孔或内部导线的群体。图式简单说明:第一图,叙述本发明之一个较佳的起始具体实施例。第二图,叙述第一图的具体实施例,在基板已经经过至少一个热循环之后。第三图,叙述本发明的一个具体实施例,其显示出铜电气互连的顶部覆盖。第四图,叙述如第三图中所显示的具体实施例,在光阻和种晶层的一部分已经去除之后。第五图,叙述本发明的另一个具体实施例,其显示出一种多层结构,该结构使用本发明的制程制作。第六图,叙述本发明之另一个较佳的起始具体实施例。第七图,叙述本发明的另外一个具体实施例,其显示出具有多层顶部覆盖层之铜电气互连的顶部覆盖。
地址 美国