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发明名称 METHOD OF ACTIVATING AN IMPLANTED SEMICONDUCTOR IMPURITY
摘要
申请公布号 PL139110(B2) 申请公布日期 1986.12.31
申请号 PL19850251528 申请日期 1985.01.11
申请人 发明人
分类号 H01L;H01L21/265;(IPC1-7):H01L21/265 主分类号 H01L
代理机构 代理人
主权项
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