| 主权项 |
1.一种包含由非结晶磁铁性合金所组成线圈之电气扼流圈,该线圈经部份结晶化并包含一分散及一分离式间隙。2.如申请专利范围第1项之电气扼流圈,其中该分散式间隙系将该合金部份结晶化而成。3.如申请专利范围第2项之电气扼流圈,其锻造后之导磁率范围在100至800之间。4.如申请专利范围第1项之电气扼流圈,其中该分离式间隙系将部份结晶化之线圈予以注入及切割而产生一缺口,然后将一非磁性间隔器插入该缺口而成,其间隙之大小系取决于间隔器之厚度。5.如申请专利范围第4项之电气扼流圈,其导磁率于部份结晶化后(锻造后导磁率)范围在200至1000之间,间隙宽度大小范围在0.75毫米至12.75毫米之间,有效导磁率范围在40至200之间。6.如申请专利范围第5项之电气扼流圈,其有效导磁率范围在40至200之间,线圈损耗在1000 Oe激发及十万赫兹下为每公斤80至200瓦,直流偏压变动范围在1000 Oe直流偏压场中为50%至95%。7.如申请专利范围第6项之电气扼流圈,该线圈具有一分离式间隙,其宽度范围在0.75毫米至12.75毫米之间,有效导磁率范围在40至200之间。8.如申请专利范围第6项之电气扼流圈,其线圈之有效导磁率为100,系将铁基非结晶性合金锻造使其导磁率达到300然后再将线圈切割后插入厚度1.25毫米间隔器而成。9.如申请专利范围第8项之电气扼流圈,其中在100 Oe直流偏压场激发下此线圈至少保有其有效导磁率之75%。10.如申请专利范围第8项之电气扼流圈,其线圈损耗在1000 Oe激发及十万赫兹下为每公斤80至100瓦。11.如申请专利范围第1项之电气扼流圈,其中该非磁性间隔器系由陶质或塑胶所组成并直接使其成为一塑胶盒以包含该线圈。12.如申请专利范围第1项之电气扼流圈,其中该线圈系经由研磨锯、有线电子放电机、或水刀等切割而成。13.如申请专利范围第1项之电气扼流圈,其线圈系经高温树脂涂装以使其绝缘并保持维修上之整体性。14.如申请专利范围第1项之电气扼流圈,系用于功率因数修正。图式简单说明:第一图显示此一锻造之磁性线圈在直流偏压激发场中之原始导磁率百分比。第二图显示此一经切割后插入4.5毫米间隔器之非结晶合金线圈在直流偏压激发场中之原始导磁率百分比。第三图显示此一具有1.25毫米分离式间隙及分散式间隙之线圈在直流偏压激发场中之原始导磁率百分比。第四图显示将分离及分散式间隙结合后在不同分离式间隙大小之情况下,依经验导出其有效导磁率之等高线图,其中不同之等高图代表分散式间隙之导磁率値。 |
