| 主权项 |
1.一种乾蚀刻方法,主要系,在减压处理室内载置的被处理物,根据在该处理室内导入气体而供给放电之电浆,同时根据施加偏电压而蚀刻该被处理物的蚀刻方法,其特征为,做为该偏电压,不施加正弦波形之电压及负的脉波波形之电压,而施加正的脉波波形之电压,而将该脉波波形的间隔控制成所定之値。2.如申请专利范围第1项所述的乾蚀刻方法,其中,上述第2电压之脉波间隔,将满足下式的条件而控制3.如申请专利范围第1项所述的乾蚀刻方法,其中,上述偏电压的脉波间隔为0.1s以上5s以下。4.如申请专利范围第1项所述的乾蚀刻方法,其中,上述气体系包含有2种类以上之元素。5.如申请专利范围第4项所述的乾蚀刻方法,其中,在上述气体包含的2种类以上之元素的至少1种类为轻元素,而该轻元素为H元素或He元素者。6.如申请专利范围第4或5项所述的乾蚀刻方法,其中,在上述气体所包含的轻元素,为HBr或HCl或NH3。7.如申请专利范围第1项所述的乾蚀刻方法,其中,做为该偏电压,只施加正之脉波波形的电压。图式简单说明:第一图,为显示聚矽的对底子SiO2选择比之平均能量依存性的根据添加NH3,He气之变化的图。第二图,为显示使用在习知之施加RF偏压的蚀刻装置之构成的图。第三图,为显示习知之施加RF偏压时的偏压输入电压波形之图。第四图,为显示习知的施加RF偏压时之试样偏压波形的图。第五图,为显示使用在施加脉波偏压之蚀刻装置的构成之图。第六图,为显示施加脉波偏压时的偏压输入电压波形之图。第七图,为显示施加脉波偏压时的理想性试样偏压波形之图。第八图,为显示习知的施加RF偏压时之离子的试样射入能量分布之图。第九图,为显示使用在电浆蚀刻的试样构造之一例的图。第十图,为显示施加习知的脉波偏压时之实际的试样偏压波形之图。第十一图,为显示施加习知脉波偏压时的实际之离子的试样射入能量分布之图。第十二图,系显示从开始施加脉波偏压时至到达定常状态为止的试样偏压波形之变化的图。第十三图,为显示施加脉波偏压时的根据试样偏压波形之脉波间隔差异的变化之图。第十四图,为显示施加脉波偏压时的离子之试样射入能量分布的根据脉波间隔之差异的变化之图。第十五图,为显示施加脉波偏压时的试样偏压波形之根据添加H或He的变化之图。第十六图,为显示施加脉波偏压时的离子之试样射入能量分布的根据添加H或He之变化的图。第十七图,为显示能实施本发明的施加脉波偏压之微波蚀刻装置的例子之图。第十八图,为显示使用在实施例1的聚矽加工之试样的构造之图。第十九图,为显示施加脉波偏压时的试样偏压波形之根据添加NH3或He的变化之图。第二十图,为显示施加脉波偏压时的离子之试样射入能量分布的根据添加NH3或He之变化的图。第二十一图,为显示聚矽蚀刻速度之平均离子能量依存性的根据添加NH3或He的变化之图。第二十二图,系显示在实施例2的Al-Cu-Si加工使用之试样的构造之图。第二十三图,系显示施加脉波偏压时的试样偏压波形之根据脉波间隔的差异之变化的图。第二十四图,系显示施加脉波偏压时的离子之试样射入能量分布的根据脉波间隔之差异的变化之图。第二十五图,系显示聚矽的对抗蚀罩选择比之平均能量依存性的根据脉波间隔之差异的变化之图。第二十六图,系显示聚矽蚀刻速度的平均离子能量依存性之根据脉波间隔的差异之变化的图。 |
