半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的半导体器件包括：具有绝缘表面的衬底和设置在衬底的绝缘表面上的元件区。横向晶化区构成元件区，而横向晶化区是通过热处理，使非晶硅膜从带状晶化区向围绕该带状晶化区的区结晶来实现的，而该带状晶化区是通过选择地引入非晶硅膜的催化元素而促使其晶化的，横向晶化区和带状晶化区中的至少一个的催化元素的浓度，是利用具有带状平面图形的引入设定区的带宽来控制的。

主权项

1.一种半导体器件，包括：具有绝缘表面的衬底；通过使非晶硅膜晶化而形成的元件区，该元件区设置在衬底的绝缘表面上；其中，元件区由横向晶化区构成，横向晶化区的形成是通过热处理，使非晶硅膜从带状晶化区向围绕该带状晶化区的区域结晶来实现的，而该带状晶化区是通过选择地引入用来促进非晶硅膜晶化的催化元素而使其晶化的；横向晶化区和带状晶化区中的至少一个的催化元素的浓度，是利用具有带状平面图形的引入设定区的带宽来控制的，该带宽被设定用于选择地引入催化元素。