发明名称 Verfahren zur Bildung einer Dünnschicht auf einem Substrat mittels reaktiven Gleichstrom-Sputtern
摘要
申请公布号 DE69303853(T2) 申请公布日期 1996.12.12
申请号 DE19936003853 申请日期 1993.04.23
申请人 CENTRAL GLASS CO. LTD., UBE CITY, YAMAGUCHI, JP 发明人 YAMADA, MASAYUKI, SHINAGAWA-KU, TOKYO, JP;ISHIKAWA, AKIRA, SHINAGAWA-KU, TOKYO, JP;SAITO, TADAHIKO, SHINAGAWA-KU, TOKYO, JP;NAKASE, KIYOSHI, TAKI-GUN, MIE PREFECTURE, JP;HATANAKA, KATSUYUKI, TSU CITY, MIE PREFECTURE, JP;INABA, HIROSHI, MATSUSAKA CITY, MIE PREFECTURE, JP
分类号 C23C14/00;C23C14/08;C23C14/34;(IPC1-7):C23C14/08;H01J37/34 主分类号 C23C14/00
代理机构 代理人
主权项
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