| 主权项 |
1.一种制造膜的方法,其步骤包括:a)沈积一层多孔的薄膜,成分以氮化钛为主;以及b)在完成该步骤a)后,在该多孔薄膜的表面及孔内介入铝;因此,在该多孔薄膜表面的该铝在大气中的钝化使该多孔薄膜与大气隔绝。2.根据申请专利范围第1项之方法,在完成该介入步骤后,进一步的步骤包括沈积后的热处理步骤。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中沈积该多孔薄膜的步骤是热分解复氨基钛化合物(amino-complexedtitanium compound)。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中介入的步骤是在200℃或以下的温度进行。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中进行该后处理的步骤是使用掺合铝的矽先质进行该后处理。6.一种根据申请专利范围第1项之方法制造之产品。7.一种制作积体电路的方法,其步骤包括:a)成形电晶体;b)成形中间介电层;c)在该介电层上制作图案与蚀刻,以在接触位置形成所需的孔道;d)沈积多孔的薄膜,成分以氮化钛为主;e)在完成该d)步骤后,进行后处理步骤,将铝介入该多孔薄膜中;以及f)沈积金属层。8.根据申请专利范围第7项之方法,在完成该后处理步骤后,进一步的步骤包括执行后沈积热处理的步骤。9.根据申请专利范围第7项之方法,其中沈积该多孔薄膜的步骤是热分解复氨基钛化合物。10.根据申请专利范围第7项之方法,其中介入铝的步骤是在200℃或以下的温度进行。11.根据申请专利范围第7项之方法,其中进行该后处理的步骤是使用掺合铝的矽先质进行该后处理。12.一种根据申请专利范围第7项之方法制造之产品。13.一种薄膜包括:最顶层的氧化层以铝为主;以及其下为富铝层,其铝与钛的原子数量比至少5:1;以及成分向下平滑改变,到底层时的钛与铝的原子数量比至少5:1。14.根据申请专利范围第13项之薄膜,其中的富铝层包括至少50埃的金属铝。图式简单说明:第一图显示备制薄膜的流程;第二图A显示多孔的沈积膜;第二图B显示第二图A经过铝处理后的膜;第三图显示第二图B膜之XPS特征;第四图所呈现的数据显示以氮化钛层为核心的铝沈积;第五图A及第五图B显示利用揭示的创新程序在壁障膜层上沈积被覆金属的例子;第五图C显示另一个被覆金属的具体实例,它使用本发明的氮化钛+铝膜做为DRAM电容器结构的扩散壁障;第六图显示以第一图之方法制作扩散壁障的显微照片。 |
