| 摘要 |
<p>Die Speicherzelle weist einen vertikalen MOS-Transistor auf, der eine erste Gateelektrode, die elektrisch isoliert ist, und eine zweite Gateelektrode umfaßt. Die zweite Gateelektrode (140) ist teilweise in einem Graben angeordnet, an dessen Flanke der MOS-Transistor angrenzt. Die erste Gateelektrode ist außerhalb des Grabens angeordnet und weist an der Grabenkante eine Spitze (90, 100) auf, die eine Programmierung bei verringertem Stromfluß ermöglicht. Die Speicherzelle ist durch selbstjustierende Herstellung mit einem Flächenbedarf von 6 F2 herstellbar.</p> |
