| 发明名称 | 一种薄膜太阳电池的光吸收层材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜太阳电池的光吸收层材料及其制备方法。该光吸收层材料为Cu<SUB>2</SUB>MS<SUB>3</SUB>(M＝Si，Ge，Sn)系列化合物中的Cu<SUB>2</SUB>Si<SUB>x</SUB>Sn<SUB>1－x</SUB>S<SUB>3</SUB>或Cu<SUB>2</SUB>Ge<SUB>x</SUB>Sn<SUB>1－x</SUB>S<SUB>3</SUB>(x＝0～1)半导体薄膜。其制备方法是先在基底上磁控溅射沉积Cu－Si－Sn或Cu－Ge－Sn合金预制层，然后对预制层进行硫化处理。本发明所述的材料及其制备方法可解决当前太阳电池发展所遇到的资源短缺与环境污染问题，为太阳电池的发展开辟新的途径。 | ||
| 申请公布号 | CN101330110A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200810031972.1 | 申请日期 | 2008.08.01 |
| 申请人 | 中南大学 | 发明人 | 赖延清;刘芳洋;张治安;李劼;刘业翔;田忠良;吕晓军;李轶;欧阳紫靛;吕莹;刘军;匡三双 |
| 分类号 | H01L31/032(2006.01);H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L31/032(2006.01) |
| 代理机构 | 中南大学专利中心 | 代理人 | 胡燕瑜 |
| 主权项 | 1、一种太阳电池的光吸收层材料，其特征在于：光吸收层材料为Cu2MS3，M＝Si，Ge，Sn，系列化合物中的Cu2SixSn1-xS3，x＝0～1，或Cu2GexSn1-xS3，x＝0～1，半导体薄膜。 | ||
| 地址 | 410083湖南省长沙市麓山南路1号 | ||