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Um die Menge der gespeicherten Ladungen von Speicherzellen mittels einer einfachen Konfiguration zu erhöhen und dadurch den Betriebsbereich zu verbessern, und um Dummyzellen überflüssig zu machen, um den Betriebsbereich eines DRAM zu verbessern ohne den Stromverbrauch und/oder die Chipfläche zu vergrößern, wird die Spannung einer gemeinsamen Anodenleitung von einer ersten Spannung auf eine zweite Spannung geändert, die niedriger ist als die erste Spannung, während sich die Wortleitung auf einer dritten Spannung befindet, die den gewählten Zustand der Wortleitung bewirkt. Die Spannung der Wortleitung wird zu einer vierten Spannung geändert, die den nicht-gewählten Zustand der Speicherzelle bewirkt, und die niedriger als die dritte Spannung und höher als eine fünfte Spannung ist, die den nicht-gewählten Zustand der Wortleitung bewirkt, wobei die Spannung der Anodenleitung auf die erste Spannung geändert wird, nachdem die Spannung der Wortleitung auf die vierte Spannung geändert worden ist.
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