护层光阻之去除方法

摘要

本发明提供一种简易有效的护层光阻去除方式，可避免因为光阻与剥除剂(stripper)的残留，而在后续的合金化处理中发生光阻突穿(PR extrusion)的问题。本发明之方法包括以下步骤：首先以乾蚀刻法去除部份之护层光阻后，以湿蚀刻法去除其余之光阻层。接着，先以适当的溶剂进行一次或多次的表层清洗，将护层中之残余物完全去除后，再进行去离子水的快速倾洗(QuickDump Rinse；QDR)。

主权项

1.一种护层光阻(passivation PR)之去除方法,包括下列步骤:(a)以乾蚀刻法去除部份之上述光阻层;(b)以湿蚀刻法去除上述之光阻层;以及(c)以一水互溶性(water-miscible)溶剂,进行一次或多次表层清洗,以将护层中之残余物完全去除。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(a)之乾蚀刻法系以氧电浆所施行者。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(b)之湿蚀刻法系以光阻剥除剂(stripper)所施行者。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中步骤(b)之湿蚀刻法系以光阻剥除剂进行两阶段的光阻去除。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(c)之水互溶性溶剂为N-甲基咯酮(NMP)。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中步骤(c)系以N-甲基咯酮进行两次的表层清洗。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中步骤(c)每次清洗的时间约持续20秒。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(c)所述之残余物包含光阻之残渣与光阻剥除剂。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(c)之后,更包括以去离子水施行快速倾洗(Quick Dump Rinse;QDR)。图式简单说明:第一图绘示在焊垫区上形成图案化光阻层后之剖面示意图。第二图为习知技术中完成护层蚀刻后的处理流程图。第三图与第四图系用以说明钥匙孔造成光阻残留与光阻突穿的剖面示意图。第五图为本发明之方法去除光阻之流程图。第六图为依据本发明之一较佳实施例,去除光阻之流程图。