| 发明名称 | 有机薄膜晶体管元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供显示出高载流子迁移率的有机薄膜晶体管元件及其制造方法。该有机薄膜晶体管元件的特征在于：采用使用了反应气体的CVD(化学气相沉积)形成，并且具有表面对于纯水的接触角为50度以上的薄膜，在该薄膜上形成有机半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN100501945C | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200480004225.9 | 申请日期 | 2004.02.17 |
| 申请人 | 柯尼卡美能达控股株式会社 | 发明人 | 平井桂;北弘志;有田浩了 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 陈 昕 |
| 主权项 | 1. 有机薄膜晶体管元件，其特征在于：采用使用了反应气体的CVD(化学气相沉积)法形成，并且具有表面对于纯水的接触角为50度以上的、含有机硅化合物或有机金属化合物的薄膜，在该薄膜上形成了有机半导体层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||