半导体器件和用于制造半导体的方法

摘要

本发明涉及半导体器件和用于制造半导体的方法，其中该半导体器件包括：半导体基底、在半导体基底上的无机隔离层和在无机隔离层上的金属化层。金属化层包括熔断器结构。至少在熔断器结构的区域，金属化层和无机隔离层具有公共界面。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体基底；在所述半导体基底上的无机隔离层；以及在所述无机隔离层上的金属化层，所述金属化层包括熔断器结构，其中，至少在所述熔断器结构的区域中，所述金属化层与所述无机隔离层具有公共界面；其中，所述熔断器结构由所述金属化层的第一熔断器区域、所述金属化层的第二熔断器区域以及所述金属化层的第三熔断器区域形成；其中，所述第三熔断器区域形成连接所述第一熔断器区域与所述第二熔断器区域的熔断器元件，所述熔断器元件至少部分具有最小宽度，其比所述第一熔断器区域的宽度以及所述第二熔断器区域的宽度至少小30％；并且其中，在所述熔断器结构的区域以及与所述熔断器结构的区域邻近的非熔断器区域中，所述无机隔离层包括所述基底上的第一无机子层，并且，在所述熔断器结构的区域中，包括所述金属化层与所述无机隔离层的所述第一无机子层之间的第二无机子层，所述无机隔离层的所述第一无机子层是厚度在100nm与2000nm之间的热氧化物层，并且，所述无机隔离层的所述第二无机子层是厚度小于等于5000nm的沉积氧化物层。