| 主权项 |
1.一种半导体装置,即具有多层配线构造之半导体装置,其特征系含:属第1层连接外部连接用导电体之第1导电层,及属于前述第1层下层之第2层,且设复数开口部之第2导体层,及属前述第2导体层下层之第3层之第3导体层,及介在前述第1导体层与前述第2导体层之间之第1层间绝缘膜,及设于该第1层间绝缘膜之第1贯穿孔,及填充于该第1贯穿孔之第4导体层,及介在前述第2导体层与前述第3导体层之间之第2层间绝缘膜,及设于该第2层间绝缘膜之第2贯穿孔,及填充于该第2贯穿孔之第5导体层。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,前述第1绝缘膜与前述第2绝缘膜系经前述第2导体层之前述开口部连接,因而在前述第1导体层与前述第3导体层之间,形成前述第1绝缘膜及前述第2绝缘膜之连接部。3.如申请专利范围第1或2项所述之半导体装置,其中,前述第2导体层系具有网目状平面图型。4.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,前述第3导体层系形成在覆盖半导体基板表面之绝缘膜上之最下层之导体层,且在其第3导体层亦形成复数开口部。5.如申请专利范围第4项所述之半导体装置,其中,前述第3导体层具有网目状平面图型。6.如申请专利范围第1,2,4或5任一项之半导体装置,其中前述外部连接用导电体系接合线。7.如申请专利范围第1,2,4或5任一项之半导体装置,其中前述第1导体层,第2导体层及第3导体层系以铝为主成分之层,而第4导体层及第5导体层系以钨为主成分之层。8.如申请专利范围第1,2,4或5任何一项之半导体装置,其中,半导体装置,更具备内部电路,其内部电路系用多层配线构造形成,构成前述第1导体层,第2导体层,第3导体层,第4导体层,第5导体层,第1层间绝缘膜,第2层间绝缘膜及贯穿孔,与前述内部电路之前述多层配线构造系由共同之制造过程形成。9.如申请专利范围第1,2,4或5任何一项之半导体装置,更具有导环,该导环系配设于连接前述外部连接用导电体之前述多层配线构造体周围,且该导环系含:与前述第1导体层同材料而成之第6导电层,及与前述第2导体层同材料而成之第7导体层,及与前述第3导体层同材料而成之第8导体层,及前述第1层间绝缘膜及前述第2层间绝缘膜,及设于前述第1层间绝缘膜之第1沟,及设于前述第2层间绝缘膜之第2沟,及填充于前述第1沟之第9导体层,及填充于前述第2沟之第10导体层所构成。10.一种具有连接外部连接用导电体之多层配线构造之半导体装置之制造方法,即,由下述(1)-(7)之工程形成前述多层配线构造之半导体装置之制造方法,工程(1):在第1导体层上形成第1层间绝缘膜,工程(2):在前述第1层间绝缘膜以选择形成贯穿孔,工程(3):将第1导体材料堆积于前述第1层间绝缘膜上及前述贯穿孔内部后,蚀刻其全面,将前述第1导体材料埋进前述贯穿孔内,工程(4):将第2导体层形成于前述第1层间绝缘膜上使其接触于埋进前述贯穿孔之前述第1导体材料,工程(5):将前述第2导体层图型化,形成复数开口部,工程(6):在具有前述复数开口部之前述第2导体层上形成第2层间绝缘膜,工程(7):以前述工程(1)-工程(3)同样工程,将第2导体材料埋进形成于前述第2层间绝缘膜之贯穿孔内,工程(8):将第3导体层形成于前述第2层间绝缘膜上,使其接触于埋进前述贯穿孔之前述第2导体材料。11.如申请专利范围第10项所述之半导体装置之制造方法,其中在前述工程(6)形成之具有复数开口之第2导体层系具有网目状平面图型。12.如申请专利范围第10项所述之半导体装置之制造方法,系共用前述工程(1)-工程(8),更构成形成半导体装置之内部电路之多层配线构造。13.如申请专利范围第10项所述之半导体装置之制造方法,系共用前述工程(1)-工程(8),更形成导环。图式简单说明:第一图:显示本发明之半导体装置之第1实施形态之要部构造图。第二图:第一图所示设备之平面图(上侧)及沿A一A线之断面图(下侧)。第三图:沿第二图所示设备之B-B线之断面图。第四图:显示第一图所示中间之电极200之平面形状图。第五图:变形例之设备之断面图。第六图:本发明之第2实施形态之设备平面图(上侧)及沿A-A线之断面图(下侧)。第七图:本发明之第3实施形态之设备之平面图(上侧)及沿A-A线之断面图(下侧)。第八图:变形例之设备之平面图。第九图:本发明之第4实施形态之设备之平面图(上侧)及沿A-A线之断面图(下侧)。第十图:显示半导体片之接合台及内部电路配置图。第十一图:显示本发明之半导体装置之制造方法之第1工程之设备断面图。第十二图:显示本发明之半导体装置之制造方法之第2工程之设备断面图。第十三图:显示本发明之半导体装置之制造方法之第3工程之设备断面图。第十四图:显示本发明之半导体装置之制造方法之第4工程之设备断面图。第十五图:显示本发明之半导体装置之制造方法之第5工程之设备断面图。第十六图:显示本发明之半导体装置之制造方法之第6工程之设备断面图。第十七图:显示本发明之半导体装置之制造方法之第7工程之设备断面图。第十八图:显示本发明之半导体装置之制造方法之第8工程之设备断面图。第十九图:显示本发明之半导体装置之制造方法之第9工程之设备断面图。第二十图:本发明之第6实施形态之设备平面图。第二十一图:说明本发明之半导体装置之特征图,(a)系比较例之设备之断面图,(b)系本发明之设备之要部之断面图。第二十二图:显示本发明之半导体装置之接合台部分之变形例之构造图。第二十三图:说明先前技术之问题图。 |
