发明名称 藉由共镀贵重金属形成铜内连接结构之方法以及此方法所形成之结构
摘要 一种用于形成铜内连接的方法,包含形成一开口于沈积在基材上的电介质层中,形成一屏障层于开口上,形成一种子层于金属层上,及藉由电镀及/或无电沈积形成一铜–贵重金属合金层于种子层上。铜–贵重金属合金改良铜内连接的电特征与可靠度。
申请公布号 TW200422440 申请公布日期 2004.11.01
申请号 TW092130835 申请日期 2003.11.04
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 维拉利 杜宾
分类号 C25D3/58 主分类号 C25D3/58
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国