| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE |
| 摘要 |
<p>PURPOSE:A write signal is applied to write data transmitting MISFET via the MISFET driven by the output signal of a row selection decoder, thereby holding the normal write while performing the high-speed write.</p> |
| 申请公布号 |
JPS5360525(A) |
申请公布日期 |
1978.05.31 |
| 申请号 |
JP19760135346 |
申请日期 |
1976.11.12 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
NOGUCHI YOSHIO;ITOU TSUNEO |
| 分类号 |
G11C11/41;G11C11/407;G11C11/417;G11C11/419 |
主分类号 |
G11C11/41 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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