记忆体阵列之埋入式源极的制造方法

摘要

本发明提供一种记忆体阵列之埋入式源极的制造方法，包括下列步骤：(a)在半导体基底预定位置上形成场氧化层，用以区分出欲形成元件的范围；(b)在上述半导体基底形成贯穿上述场氧化层的沟槽；(c)在上述沟槽的侧壁以及底面形成一薄氧化层；(d)去除上述形成于沟槽底面的薄氧化层；以及(e)在上述沟槽内形成与该半导体基底表面略为等高的掺杂磊晶层，以当作记忆体阵列之埋入式源极。

主权项

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