| 摘要 |
L'invention concerne un procédé pour déposer sous vide une couche monomoléculaire sur une surface, cette couche monomoléculaire comportant au moins un élément choisi dans les groupes IIa, IIIA, IVa, VIIIA, Ib, IIb, IIIB, Vb de la classification périodique des éléments, ledit procédé comportant les étapes de chauffer ladite surface à une température prédéterminée (T) et de faire évaporer sous vide au moins l'élément susmentionné pour le faire déposer sur la surface réceptrice. <BR/> Selon l'invention, la température prédéterminée de la surface réceptrice est inférieure à 600degré C, le flux atomique total du ou des éléments arrivant sur ladite surface réceptrice est compris entre 101 2 et 101 5 atomes/cm2 .s, et on surveille en temps réel la formation de la couche monomoléculaire, l'évaporation de l'élément étant arrêtée lorsqu'on détecte la formation complète de la couche monomoléculaire. |
